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低温烧结Sr系PTC材料的制备与研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第1章 概述第9-28页
   ·热敏陶瓷概述第9-12页
   ·PTC 理论和模型第12-18页
     ·Heywang 晶界势垒模型第12-13页
     ·Heywang-Jonker 模型第13页
     ·Daniels 钡空位模型第13-14页
     ·Daniels 叠加势垒模型第14-16页
     ·Desu 的界面析出模型第16-17页
     ·其他PTC 理论第17-18页
   ·PTC 材料的特性与应用第18-21页
     ·电阻---温度特性第18-19页
     ·电压-电流特性第19-20页
     ·电流-时间特性第20-21页
     ·电压效应和耐电压特性第21页
   ·钛酸锶钡(Ba_xSr_(1-x)TiO_3)陶瓷材料第21-24页
     ·钛酸钡基PTC 陶瓷概述第21-23页
     ·钛酸锶钡(Ba_xSr_(1-x)TiO_3)陶瓷材料简介第23页
     ·Ba_xSr_(1-x)TiO_3 的晶体结构第23-24页
     ·Ba_xSr_(1-x)TiO_3 热敏陶瓷材料的应用第24页
   ·低温烧结理论的提出及研究过程第24-26页
   ·本课题的立体依据及研究内容第26-28页
第2章 实验部分第28-35页
   ·实验原料及仪器第28-29页
     ·实验原料第28页
     ·实验仪器第28-29页
   ·合成路线与制备工艺第29-32页
     ·PTC 陶瓷的合成路线第29页
     ·PTC 陶瓷的制备工艺第29-32页
   ·性能测试及设备第32-35页
第3章 工艺条件对材料性能的影响第35-46页
   ·烧结工艺第35-41页
     ·烧结温度与室温电阻率的关系第35-36页
     ·烧结温度对样品颜色及致密情况的影响第36页
     ·烧结温度与升阻比的关系第36-37页
     ·烧结温度与温度系数α_(10/25) 的关系第37-38页
     ·样品在不同烧结温度下的SEM 照片第38-39页
     ·样品在不同烧结温度下的XRD 图谱第39-40页
     ·样品在不同烧结温度下的R-T 特性第40-41页
     ·样品在不同烧结温度下的V-A 特性第41页
   ·保温时间对样品PTC 性能的影响第41-44页
     ·样品R-t 曲线第41-42页
     ·样品SEM 照片分析第42-43页
     ·样品XRD 图谱分析第43-44页
   ·成型压力与室温电阻率的关系第44-45页
   ·本章小结第45-46页
第4章 低温烧结的研究第46-57页
   ·助烧剂BN第46-50页
     ·BN 添加量对样品的烧结温度的影响第46-48页
     ·BN 的添加量对样品室温电阻率的影响第48页
     ·BN 的添加量对样品的显微结构影响第48-50页
   ·ζ(PbO:BN)对材料性能的影响第50-55页
     ·ζ(PbO:BN)对材料室温电阻率的影响第50-51页
     ·不同ζ(PbO:BN)的PTC 材料的SEM 照片第51-52页
     ·不同ζ(PbO:BN)的PTC 材料的XRD 图谱第52页
     ·ζ(PbO:BN)对样品R-t 特性曲线的影响第52-54页
     ·ζ(PbO:BN)对样品V-A 特性曲线的影响第54-55页
   ·典型样品的 R-t 特性曲线和 V-A 特性曲线第55-56页
   ·本章小结第56-57页
结论第57-58页
致谢第58-59页
参考文献第59-63页
攻读学位期间取得学术成果第63页

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