| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·薄膜晶体管简介 | 第13-14页 |
| ·有源矩阵发光显示简介 | 第14-15页 |
| ·应用于有源矩阵发光显示的薄膜晶体管 | 第15-23页 |
| ·非晶硅TFT | 第16页 |
| ·多晶硅TFT | 第16页 |
| ·有机TFT | 第16-19页 |
| ·氧化物TFT | 第19-23页 |
| ·本论文的工作 | 第23-25页 |
| 第二章 薄膜晶体管的原理、结构、材料和制备技术 | 第25-38页 |
| ·有机薄膜晶体管的原理和结构 | 第25-29页 |
| ·有机半导体的导电机理 | 第25-26页 |
| ·有机薄膜晶体管的原理和结构 | 第26-29页 |
| ·有机薄膜晶体管的半导体材料 | 第29-30页 |
| ·有机薄膜晶体管的制备工艺 | 第30-31页 |
| ·氧化物薄膜晶体管的结构和原理 | 第31-32页 |
| ·氧化物半导体材料 | 第32-33页 |
| ·氧化物薄膜的制备工艺 | 第33-34页 |
| ·薄膜晶体管的一些重要的参数 | 第34-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 绝缘层对有机薄膜晶体管的影响 | 第38-67页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·Ta_2O_5 的氢热处理对有机薄膜晶体管性能的影响 | 第39-49页 |
| ·器件的制备 | 第39-43页 |
| ·氢热处理前后器件的性能变化 | 第43-46页 |
| ·性能改善的原因分析 | 第46-49页 |
| ·Ta_2O_5 的表面修饰对有机薄膜晶体管性能的影响 | 第49-60页 |
| ·制备过程 | 第50-52页 |
| ·器件的性能 | 第52-55页 |
| ·结果分析 | 第55-60页 |
| ·单个有机薄膜晶体管驱动有机发光二极管 | 第60-65页 |
| ·器件的制备 | 第60-61页 |
| ·结果及讨论 | 第61-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第四章 基于氧化铟镓锌的薄膜晶体管 | 第67-85页 |
| ·引言 | 第67页 |
| ·靶材成分对TFT 性能的影响 | 第67-71页 |
| ·氧化物薄膜的溅射条件的研究 | 第71-75页 |
| ·氧含量对氧化物薄膜性能的影响 | 第71-73页 |
| ·氧化物薄膜厚度的影响 | 第73页 |
| ·氧化物TFT 的热处理 | 第73-75页 |
| ·环境对氧化物薄膜晶体管的影响 | 第75-76页 |
| ·IGZO 在空气中的稳定性 | 第75页 |
| ·IGZO 在水的稳定性 | 第75页 |
| ·O_2-Plasma 对IGZO 的影响 | 第75-76页 |
| ·使用阳极氧化的Al_2O_3 作为绝缘层的优势 | 第76-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 第五章 50×50 点阵的有源矩阵有机发光二极管 | 第85-102页 |
| ·引言 | 第85页 |
| ·50×50 点阵的总体设计 | 第85-87页 |
| ·版图设计 | 第87-90页 |
| ·工艺实现 | 第90-97页 |
| ·工艺实现路线 | 第90页 |
| ·栅电极的图形化 | 第90-91页 |
| ·栅绝缘层的制备 | 第91-92页 |
| ·刻断T2 与选择线的连接线 | 第92页 |
| ·半导体层的图形化 | 第92-93页 |
| ·源、漏电极与像素电极的制作 | 第93-96页 |
| ·钝化层的制备 | 第96-97页 |
| ·OLED 的制备 | 第97页 |
| ·阵列面板的性能 | 第97-100页 |
| ·选择管的特性 | 第97-98页 |
| ·驱动管的特性 | 第98页 |
| ·选择管与驱动管集成的性能 | 第98-99页 |
| ·50×50 AMOLED 显示屏的效果 | 第99-100页 |
| ·本章小结 | 第100-102页 |
| 结论 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-114页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第114-118页 |
| 致谢 | 第118页 |