射频磁控溅射法制备IMO薄膜的结构及性能研究
| 中文摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·透明导电氧化物薄膜概述 | 第11-12页 |
| ·二元及多元透明导电氧化物薄膜 | 第12-15页 |
| ·二元透明导电氧化物薄膜 | 第12-14页 |
| ·多元透明导电氧化物薄膜 | 第14-15页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的制备方法 | 第15-18页 |
| ·真空蒸发法 | 第16页 |
| ·磁控溅射法 | 第16页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第16-17页 |
| ·溶液镀膜法 | 第17页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第17-18页 |
| ·分子束外延 | 第18页 |
| ·其它方法 | 第18页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的应用 | 第18-19页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的发展前景 | 第19-20页 |
| ·本文的研究目的、意义和主要研究内容 | 第20-21页 |
| ·论文研究的目的和意义 | 第20-21页 |
| ·主要的研究内容 | 第21页 |
| ·本章小节 | 第21-23页 |
| 第二章 试验部分 | 第23-36页 |
| ·靶材的预处理 | 第23-25页 |
| ·靶材技术指标 | 第23页 |
| ·靶材预处理制备工艺介绍 | 第23-24页 |
| ·电子束真空蒸镀方法简介 | 第24页 |
| ·实验设备 | 第24页 |
| ·电子束蒸镀镀铜 | 第24-25页 |
| ·IMO薄膜的制备工艺 | 第25-30页 |
| ·射频磁控溅射法沉积原理 | 第25-28页 |
| ·射频磁控溅射法制备IMO薄膜 | 第28页 |
| ·试验样品的制备 | 第28-30页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第30-35页 |
| ·薄膜的结构表征 | 第30-31页 |
| ·薄膜的形貌分析 | 第31页 |
| ·薄膜的电学性能表征 | 第31-33页 |
| ·薄膜的光学性能表征 | 第33-34页 |
| ·薄膜的磁学性能表征 | 第34-35页 |
| ·本章小节 | 第35-36页 |
| 第三章 透明导电IMO薄膜的结构和性能研究 | 第36-57页 |
| ·掺量浓度对样品结构和性能的影响 | 第36-41页 |
| ·不同Mo掺量的XRD图谱 | 第36-38页 |
| ·不同基底温度的XRD图谱 | 第38-39页 |
| ·不同沉积气压的XRD图谱 | 第39-40页 |
| ·不同基底的XRD图谱 | 第40-41页 |
| ·IMO薄膜的表面形貌 | 第41-46页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第41-42页 |
| ·不同Mo掺量IMO薄膜的表面形貌 | 第42-43页 |
| ·不同基底温度下IMO薄膜的表面形貌 | 第43-44页 |
| ·不同沉积气压下IMO薄膜的表面形貌 | 第44-45页 |
| ·硅基底上沉积IMO薄膜的表面形貌 | 第45-46页 |
| ·IMO薄膜的电学性能 | 第46-50页 |
| ·透明导电薄膜的导电机制 | 第46页 |
| ·IMO薄膜的导电机制 | 第46-47页 |
| ·不同Mo掺量的IMO薄膜的电性能 | 第47-48页 |
| ·不同基底温度IMO薄膜的电性能 | 第48-49页 |
| ·IMO薄膜的载流子浓度和迁移率 | 第49-50页 |
| ·IMO薄膜的光学性能 | 第50-53页 |
| ·薄膜的光学性能 | 第50-52页 |
| ·不同Mo掺量的IMO薄膜的光透过率 | 第52-53页 |
| ·不同基底温度的IMO薄膜的光透过率 | 第53页 |
| ·IMO薄膜的磁学性能 | 第53-55页 |
| ·不同Mo掺量的IMO薄膜的磁性能 | 第54页 |
| ·不同基底温度下IMO薄膜的磁性能 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 全文总结 | 第57-59页 |
| ·结论 | 第57-58页 |
| ·展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第64页 |
