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磁性原子在拓扑材料表面性质的研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-27页
    参考文献第25-27页
第二章 实验原理与设备第27-41页
    2.1 扫描隧道显微镜概述第27-28页
    2.2 工作原理第28-32页
    2.3 自旋极化的STM/STS第32-34页
    2.4 扫描隧道显微镜的工作模式第34-35页
    2.5 STM原子操纵第35-36页
    2.6 扫描隧道显微镜-分子束外延联合系统第36-40页
    参考文献第40-41页
第三章 模拟方法介绍第41-51页
    3.1 模拟方法简介第41页
    3.2 求解单粒子薛定谔方程的方法第41-43页
    3.3 紧束缚近似方法第43-46页
    3.4 格林函数方法第46-49页
    参考文献第49-51页
第四章 利用量子围栏确定磁性杂质在拓扑绝缘体表面磁性散射和势散射的大小第51-73页
    4.1 引言第51-53页
    4.2 模型与理论第53-56页
    4.3 单个杂质第56-62页
        4.3.1 只有磁性散射或者势散射的单个杂质第56-57页
        4.3.2 同时具有磁性散射和势散射的单个杂质第57-60页
        4.3.3 对比实验结果第60-62页
    4.4 量子围栏第62-71页
        4.4.1 只有磁性散射或者势散射的量子围栏第63-67页
        4.4.2 同时具有磁性散射和势散射的量子围栏第67-69页
        4.4.3 利用量子围栏确定磁性散射和势散射的大小第69-71页
    参考文献第71-73页
第五章 总结与展望第73-75页
硕士期间发表论文第75-76页
致谢第76-77页

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