摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
1 绪论 | 第11-28页 |
·KDP晶体性能及应用现状 | 第11-14页 |
·KDP晶体超精密加工研究现状 | 第14-20页 |
·单点金刚石飞刀切削 | 第14-16页 |
·超精密磨削加工 | 第16-17页 |
·磁流变抛光加工 | 第17-19页 |
·超精密抛光加工 | 第19-20页 |
·其它材料超精密抛光加工研究现状 | 第20-26页 |
·化学机械抛光技术(CMP)发展现状 | 第20-23页 |
·无磨料抛光技术研究现状 | 第23-26页 |
·本课题来源、研究目的与意义 | 第26-27页 |
·论文的主要研究内容 | 第27-28页 |
2 KDP晶体无磨料水溶解抛光方法与抛光液研制 | 第28-53页 |
·KDP晶体的潮解规律及无磨料水溶解抛光方法的提出 | 第28-31页 |
·KDP晶体潮解现象及规律 | 第28-29页 |
·无磨料水溶解抛光方法 | 第29-31页 |
·抛光液微乳体系的形成条件 | 第31-32页 |
·KDP晶体抛光液的研制 | 第32-39页 |
·抛光液基载液的优选 | 第32-34页 |
·表面活性剂的优选 | 第34-35页 |
·抛光液的配制 | 第35-39页 |
·KDP晶体抛光液的性能表征 | 第39-51页 |
·电导率表征 | 第40-43页 |
·粘度表征 | 第43-44页 |
·自扩散特性表征 | 第44-49页 |
·水分子微囊尺寸表征 | 第49-51页 |
·本章小结 | 第51-53页 |
3 KDP晶体抛光液的静态材料去除特性分析 | 第53-61页 |
·抛光液静态蚀刻率试验条件 | 第53页 |
·静态材料去除特性分析 | 第53-59页 |
·化学试剂纯度对静态蚀刻率的影响 | 第53-54页 |
·抛光液化学成分对静态蚀刻率的影响 | 第54-55页 |
·抛光液含水量对静态蚀刻率的影响 | 第55-57页 |
·温度对静态蚀刻率的影响 | 第57-58页 |
·抛光液静态蚀刻率和动态蚀刻率对比 | 第58-59页 |
·本章小结 | 第59-61页 |
4 KDP晶体无磨料水溶解抛光过程摩擦特性分析 | 第61-73页 |
·KDP晶体抛光过程的摩擦行为 | 第61-67页 |
·试验设备和条件 | 第61-62页 |
·抛光加工参数对摩擦力的影响 | 第62-66页 |
·材料去除率随摩擦力的变化 | 第66页 |
·抛光垫温度随时间的变化 | 第66-67页 |
·摩擦系数随抛光时间的变化 | 第67页 |
·KDP晶体抛光过程的润滑状态 | 第67-70页 |
·摩擦副两表面间接触机制的判别方法 | 第67-69页 |
·KDP晶体抛光过程润滑状态的判别 | 第69-70页 |
·KDP晶体表面材料磨损机制分析 | 第70-71页 |
·本章小结 | 第71-73页 |
5 KDP晶体无磨料水溶解抛光材料去除机理研究 | 第73-89页 |
·材料去除模型的建立 | 第73-75页 |
·材料去除机理试验验证 | 第75-85页 |
·试验条件及参数选择 | 第75-76页 |
·材料去除试验 | 第76-78页 |
·试验结果与分析 | 第78-85页 |
·抛光前后晶体表面化学成分分析 | 第85-87页 |
·本章小结 | 第87-89页 |
6 KDP晶体无磨料水溶解抛光加工试验 | 第89-122页 |
·KDP晶体无磨料水溶解抛光加工工艺试验研究 | 第89-110页 |
·加工试验条件 | 第89-91页 |
·抛光垫对加工过程的影响 | 第91页 |
·不同晶面的材料去除率和表面形貌对比 | 第91-94页 |
·抛光液对晶体材料去除率和表面形貌的影响 | 第94-99页 |
·抛光加工参数对晶体材料去除率和表面形貌的影响 | 第99-108页 |
·KDP晶体无磨料水溶解抛光后面形精度 | 第108-110页 |
·KDP晶体抛光液的使用寿命研究 | 第110-114页 |
·循环使用后抛光液的物理性质 | 第111-112页 |
·抛光液循环使用对KDP晶体材料去除率和表面形貌的影响 | 第112-114页 |
·KDP晶体无磨料水溶解抛光后晶体表面清洗初探 | 第114-120页 |
·机械作用对表面形貌的影响 | 第115-117页 |
·化学成分对表面形貌的影响 | 第117-120页 |
·本章小结 | 第120-122页 |
结论 | 第122-125页 |
参考文献 | 第125-131页 |
创新点摘要 | 第131-132页 |
攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第132-133页 |
致谢 | 第133-134页 |
作者简介 | 第134-136页 |