摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
1 绪论 | 第11-34页 |
1.1 三电平电路拓扑 | 第12-17页 |
1.2 全SiC器件的三电平电路 | 第17-23页 |
1.3 SiC & Si器件混合型三电平电路 | 第23-26页 |
1.4 功率器件损耗的均衡分布方法 | 第26-29页 |
1.5 三电平电路的其他关键技术 | 第29-32页 |
1.6 本文的研究意义和主要内容 | 第32-34页 |
2 SiC & Si器件混合型ANPC三电平双向变换电路 | 第34-57页 |
2.1 引言 | 第34-36页 |
2.2 电路拓扑及调制方法 | 第36-40页 |
2.3 电路成本及效率的评估 | 第40-52页 |
2.4 实验结果 | 第52-56页 |
2.5 总结 | 第56-57页 |
3 SiC & Si器件混合型三电平整流电路 | 第57-76页 |
3.1 引言 | 第57-59页 |
3.2 电路拓扑及调制方法 | 第59-65页 |
3.3 电路成本及效率的评估 | 第65-71页 |
3.4 仿真及实验结果 | 第71-75页 |
3.5 总结 | 第75-76页 |
4 基于双电流支路零状态的器件损耗均衡方法 | 第76-100页 |
4.1 引言 | 第76-77页 |
4.2 ANPC三电平电路零状态的分析 | 第77-80页 |
4.3 双电流支路零状态的损耗分析 | 第80-90页 |
4.4 基于双电流支路零状态的调制方法 | 第90-96页 |
4.5 实验结果 | 第96-99页 |
4.6 总结 | 第99-100页 |
5 基于微分环节的单相锁相环方法 | 第100-118页 |
5.1 引言 | 第100-102页 |
5.2 基于微分环节的正交信号发生器 | 第102-105页 |
5.3 基于微分环节的锁相环设计 | 第105-108页 |
5.4 单相锁相环的离散化设计 | 第108-110页 |
5.5 仿真及实验结果 | 第110-116页 |
5.6 总结 | 第116-118页 |
6 总结与展望 | 第118-120页 |
6.1 总结 | 第118-119页 |
6.2 展望 | 第119-120页 |
致谢 | 第120-121页 |
参考文献 | 第121-134页 |
附录1 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第134-136页 |
附录2 电感损耗和电容损耗的计算方法 | 第136-137页 |