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SiC & Si器件混合型高效率低成本中点钳位型三电平电路研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
1 绪论第11-34页
    1.1 三电平电路拓扑第12-17页
    1.2 全SiC器件的三电平电路第17-23页
    1.3 SiC & Si器件混合型三电平电路第23-26页
    1.4 功率器件损耗的均衡分布方法第26-29页
    1.5 三电平电路的其他关键技术第29-32页
    1.6 本文的研究意义和主要内容第32-34页
2 SiC & Si器件混合型ANPC三电平双向变换电路第34-57页
    2.1 引言第34-36页
    2.2 电路拓扑及调制方法第36-40页
    2.3 电路成本及效率的评估第40-52页
    2.4 实验结果第52-56页
    2.5 总结第56-57页
3 SiC & Si器件混合型三电平整流电路第57-76页
    3.1 引言第57-59页
    3.2 电路拓扑及调制方法第59-65页
    3.3 电路成本及效率的评估第65-71页
    3.4 仿真及实验结果第71-75页
    3.5 总结第75-76页
4 基于双电流支路零状态的器件损耗均衡方法第76-100页
    4.1 引言第76-77页
    4.2 ANPC三电平电路零状态的分析第77-80页
    4.3 双电流支路零状态的损耗分析第80-90页
    4.4 基于双电流支路零状态的调制方法第90-96页
    4.5 实验结果第96-99页
    4.6 总结第99-100页
5 基于微分环节的单相锁相环方法第100-118页
    5.1 引言第100-102页
    5.2 基于微分环节的正交信号发生器第102-105页
    5.3 基于微分环节的锁相环设计第105-108页
    5.4 单相锁相环的离散化设计第108-110页
    5.5 仿真及实验结果第110-116页
    5.6 总结第116-118页
6 总结与展望第118-120页
    6.1 总结第118-119页
    6.2 展望第119-120页
致谢第120-121页
参考文献第121-134页
附录1 攻读博士学位期间发表的学术论文第134-136页
附录2 电感损耗和电容损耗的计算方法第136-137页

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