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基于面向高世代TFT-LCD线的Cu和COA工艺及其对IGZO TFT特性影响的研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第11-20页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 液晶简史和中国TFT-LCD发展历程第12-15页
        1.2.1 液晶简史第12-13页
        1.2.2 世界TFT-LC液晶面板发展简表第13-14页
        1.2.3 高世代面板线产品主要特点(>G8.5)第14-15页
    1.3 TFT-LCD市场状况和发展趋势第15-18页
        1.3.1 TFT-LC市场状况及趋势第15-16页
        1.3.2 TFT-LCD各个面板供应商技术特点第16-17页
        1.3.3 基于高世代TFT-LCD产品特点及制程工艺要求第17-18页
    1.4 本论文的工作第18-20页
第二章 薄膜晶体管关键特性参数第20-26页
    2.1 薄膜晶体管的发展历程第20-21页
    2.2 薄膜晶体管结构分类第21页
    2.3 薄膜晶体管的基本原理第21-23页
    2.4 薄膜晶体管重要参数介绍第23-24页
    2.5 薄膜晶体管在LCD的定位第24-25页
    2.6 本章小结第25-26页
第三章 基于高世代线CU工艺制作第26-47页
    3.1 引言第26页
    3.2 基于高世代线CU产品工艺流程(4MASK)第26-27页
    3.3 基于高世代线CU布线TFT产品制备第27-31页
        3.3.1 基于高世代线的TFT四道光罩(4Mask)工艺流程第27-30页
        3.3.2 基于高世代线的Cu+COA产品制备第30-31页
    3.4 CU溅射工艺参数影响第31-38页
        3.4.1 Cu溅射工艺对Cu性质参数的影响第31-34页
        3.4.2 Cu翘曲的影响第34-35页
        3.4.3 粘合层和阻挡层Mo的厚度选取第35-38页
    3.5 Cu湿法蚀刻工艺参数影响第38-41页
        3.5.1 Cu蚀刻药液第38页
        3.5.2 电化学腐蚀第38-39页
        3.5.3 Cu蚀刻形貌管理第39-41页
    3.6 干法蚀刻工艺对CU制程工艺的影响第41-46页
        3.6.1 干法蚀刻工艺对Cu制程工艺的改善第41-43页
        3.6.2 干法蚀刻中对于Cu蚀刻副产物的改善第43-46页
    3.7 本章小结第46-47页
第四章 基于高世代线COA工艺制作第47-57页
    4.1 引言第47页
    4.2 基于高世代线COA产品工艺流程第47-49页
        4.2.1 传统工艺流程和COA流程比较第48-49页
        4.2.2 氮化硅工艺和PFA工艺比较第49页
    4.3 基于高世代线COA产品制程特性影响第49-54页
        4.3.1 COA产品堆叠高度的影响的关键参数第50-51页
        4.3.2 曝光参数对形貌角度(Taper)的影响第51-54页
    4.4 COA产品设计规范第54-56页
        4.4.1 RGB色阻开孔设计第54-55页
        4.4.2 避免RGB空气气泡的设计第55-56页
    4.5 本章小结第56-57页
第五章 引入CU和COA工艺对BCE IGZO TFT特性影响第57-70页
    5.1 引言第57页
    5.2 非晶IGZO TFT的主要性能参数第57-60页
        5.2.1 关键TFT架构第58-59页
        5.2.2 IGZO晶体管的优点第59-60页
    5.3 基于Cu和COA工艺的BCE IGZO TFT样品的制备第60-62页
    5.4 Cu和COA工艺制程对BCE IGZO TFT特性参数影响第62-69页
        5.4.1 BCE IGZO TFT采用Cu制程之必要性第62-63页
        5.4.2 RGB烘烤对BCE IGZO TFT特性参数影响第63-66页
        5.4.3 色阻覆盖对BC EIGZO TFT特性参数影响第66-69页
    5.5 本章小结第69-70页
总结与展望第70-72页
    6.1 总结第70页
    6.2 展望第70-72页
参考文献第72-74页
致谢第74-75页
附件第75页

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