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基于氧缺陷和Ni2+掺杂BiVO4光电阳极制备及光电催化性能研究

摘要第3-4页
abstract第4-5页
第1章 文献综述第8-26页
    1.1 研究的背景及意义第8-9页
    1.2 金属氧化物光电催化剂及其作用机理第9-13页
        1.2.1 适合光电催化的半导体材料第9-10页
        1.2.2 半导体光电催化原理第10-13页
    1.3 金属氧化物光电催化的应用第13-15页
        1.3.1 能源光电催化第13-14页
        1.3.2 环境光电催化第14-15页
        1.3.3 光电催化应用前景第15页
    1.4 金属氧化物改性第15-24页
        1.4.1 构建异质结第15-17页
        1.4.2 氧缺陷型BiVO_4第17-19页
        1.4.3 金属离子掺杂第19-22页
        1.4.4 非金属原子掺杂第22-24页
    1.5 论文工作的提出及研究内容第24-26页
第2章 氧缺陷多层BiVO_4合成及光电性能第26-42页
    2.1 引言第26-27页
    2.2 实验方法第27-31页
        2.2.1 实验材料和试剂第27页
        2.2.2 前驱体BiOI的合成第27-28页
        2.2.3 不同电化学沉积时间合成BiOI第28-29页
        2.2.4 控制合成带有氧缺陷及V~(4+)的多层BiVO第29页
        2.2.5 催化剂表征第29-31页
    2.3 结果分析与讨论第31-40页
        2.3.1 沉积层数对BiOI/BiVO_4的影响第31-34页
        2.3.2 催化剂中的氧缺陷/V~(4+)第34-35页
        2.3.3 氧缺陷/V~(4+)对光学性能的影响第35-36页
        2.3.4 多层BiVO_4 光电化学性能第36-40页
    2.4 小结第40-42页
第3章 Ni~(2+)掺杂BiVO_4 的制备及其光电催化性能第42-54页
    3.1 引言第42页
    3.2 实验方法第42-44页
        3.2.1 实验材料和试剂第42-43页
        3.2.2 Ni~(2+)掺杂BiVO_4的制备第43-44页
    3.3 结果与讨论第44-52页
        3.3.1 材料表征第44-49页
        3.3.2 光电化学性能评价第49-51页
        3.3.3 Ni~(2+)掺杂对BiVO_4光电性能的影响第51-52页
    3.4 小结第52-54页
第4章 结论与展望第54-56页
    4.1 结论第54页
    4.2 工作中存在的不足及展望第54-56页
参考文献第56-66页
发表论文情况第66-68页
致谢第68页

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