基于浮栅结构的非易失性太赫兹光开关研究
| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 浮栅结构存储器简介 | 第12-15页 |
| 1.2.1 浮栅结构存储器的结构及工作原理 | 第13-14页 |
| 1.2.2 基于石墨烯的非易失器件 | 第14-15页 |
| 1.3 课题研究意义和国内外研究现状 | 第15-19页 |
| 1.3.1 浮栅结构光开关研究意义 | 第16页 |
| 1.3.2 国内外研究现状 | 第16-19页 |
| 1.4 本文的主要内容与结构安排 | 第19-21页 |
| 1.5 参考文献 | 第21-24页 |
| 第2章 浮栅结构非易失光开关 | 第24-38页 |
| 2.1 浮栅结构光开关 | 第24-28页 |
| 2.1.1 FN隧穿效应 | 第25-26页 |
| 2.1.2 浮栅材料 | 第26页 |
| 2.1.3 高k氧化物 | 第26-28页 |
| 2.2 石墨烯特性 | 第28-30页 |
| 2.3 表面等离子激元波 | 第30-33页 |
| 2.3.1 表面等离子激元波简介 | 第31页 |
| 2.3.2 超透射现象(EOT)物理机制 | 第31-32页 |
| 2.3.3 表面等离子激元的产生 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33页 |
| 2.5 参考文献 | 第33-38页 |
| 第3章 仿真计算与版图设计 | 第38-52页 |
| 3.1 CST介绍 | 第38-49页 |
| 3.1.1 仿真模板 | 第40页 |
| 3.1.2 仿真步骤 | 第40-43页 |
| 3.1.3 Matlab计算石墨烯光电特性 | 第43-45页 |
| 3.1.4 仿真结果 | 第45-49页 |
| 3.2 版图设计 | 第49-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51页 |
| 3.4 参考文献 | 第51-52页 |
| 第4章 制备工艺与测试分析 | 第52-77页 |
| 4.1 制备工艺 | 第52-57页 |
| 4.1.1 石墨烯转移 | 第52-55页 |
| 4.1.2 ALD(原子层沉积)氧化铝 | 第55-56页 |
| 4.1.3 制备金属电极 | 第56-57页 |
| 4.2 器件表征 | 第57-60页 |
| 4.2.1 石墨烯拉曼测试 | 第57-58页 |
| 4.2.2 原子力显微镜(AFM)测试 | 第58-60页 |
| 4.3 器件测试工艺 | 第60-63页 |
| 4.3.1 电学C-V测试 | 第60-61页 |
| 4.3.2 光学透射率测试 | 第61-63页 |
| 4.4 结果分析 | 第63-74页 |
| 4.4.1 电学C-V测试 | 第63-67页 |
| 4.4.2 太赫兹测试结果 | 第67-74页 |
| 4.5 本章小结 | 第74页 |
| 4.6 参考文献 | 第74-77页 |
| 第5章 工作总结与展望 | 第77-79页 |
| 作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第79页 |
