| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 主要符号对照表 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-32页 |
| 1.1 二维层状材料简介 | 第14-16页 |
| 1.2 四六族层状半导体材料简介 | 第16-23页 |
| 1.2.1 层状硒化锡的热电性能 | 第18-21页 |
| 1.2.2 层状氧化锡简介 | 第21-23页 |
| 1.3 硼氮掺杂石墨烯简介 | 第23-26页 |
| 1.4 应变对材料性能的调控 | 第26-31页 |
| 1.5 论文的主要研究内容 | 第31-32页 |
| 第二章 理论方法 | 第32-51页 |
| 2.1 简介 | 第32页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第32-41页 |
| 2.2.1 密度泛函理论的基本概念 | 第32-37页 |
| 2.2.2 交换关联泛函 | 第37-39页 |
| 2.2.3 DFT的成功和失败之处 | 第39-41页 |
| 2.3 准粒子近似方法 | 第41-50页 |
| 2.3.1 多体系统的格林函数 | 第42-44页 |
| 2.3.2 Hedin方程和GW近似 | 第44-47页 |
| 2.3.3 近期发展 | 第47-50页 |
| 2.4 程序 | 第50-51页 |
| 第三章 硒化锡的电子结构调控 | 第51-63页 |
| 3.1 引言 | 第51-52页 |
| 3.2 计算细节 | 第52-54页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第54-61页 |
| 3.3.1 低温Pnma相硒化锡在无应变情况下的准粒子能带结构 | 第54-55页 |
| 3.3.2 准粒子自能修正的原子依赖 | 第55-57页 |
| 3.3.3 通过单轴和双轴应变调控能带边缘态 | 第57-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 通过GW准粒子方法研究应变对α-SnO的化学作用和电子结构的影响 | 第63-77页 |
| 4.1 引言 | 第63-64页 |
| 4.2 计算方法 | 第64页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第64-76页 |
| 4.3.1 电子能带结构以及带边电子态的化学特点 | 第64-68页 |
| 4.3.2 准粒子能带结构 | 第68页 |
| 4.3.3 应变对电子结构的影响 | 第68-76页 |
| 4.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 第五章 C_3N:从单层到块体的准粒子电子结构研究 | 第77-90页 |
| 5.1 引言 | 第77-78页 |
| 5.2 计算细节 | 第78页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第78-89页 |
| 5.3.1 单层C_3N | 第78-82页 |
| 5.3.2 双层C_3N | 第82-85页 |
| 5.3.3 块体C_3N | 第85-89页 |
| 5.4 本章小结 | 第89-90页 |
| 第六章 结论与展望 | 第90-93页 |
| 6.1 结论 | 第90-91页 |
| 6.2 展望 | 第91-93页 |
| 插图索引 | 第93-95页 |
| 表格索引 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-105页 |
| 作者在攻读博士学位期间发表的论文与研究成果 | 第105-107页 |
| 作者在攻读博士学位期间所参与的国际会议以及报告 | 第107-108页 |
| 作者在攻读博士学位期间所参与的科研项目 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |
