| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外研究现状分析 | 第10-13页 |
| 1.2.1 压接式IGBT器件失效机理分析 | 第10-11页 |
| 1.2.2 功率半导体器件可靠性研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.3 电力电子组件可靠性研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第13-16页 |
| 2 单芯片压接式IGBT器件多物理场建模 | 第16-26页 |
| 2.1 引言 | 第16-17页 |
| 2.2 单芯片压接式IGBT器件结构 | 第17页 |
| 2.3 压接式IGBT器件多物理场耦合模型 | 第17-21页 |
| 2.4 仿真分析与实验验证 | 第21-24页 |
| 2.4.1 导通电流对器件性能的影响 | 第21页 |
| 2.4.2 环境温度对器件性能的影响 | 第21-22页 |
| 2.4.3 外加压力对器件性能的影响 | 第22-23页 |
| 2.4.4 多物理场模型验证 | 第23-24页 |
| 2.5 小结 | 第24-26页 |
| 3 单芯片压接式IGBT器件失效分析及可靠性建模 | 第26-40页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 压接式IGBT器件的失效过程 | 第26-28页 |
| 3.3 单芯片压接式IGBT器件的可靠性建模 | 第28-34页 |
| 3.3.1 基于多物理场分析的IGBT器件可靠性模型 | 第28-29页 |
| 3.3.2 单芯片压接式IGBT器件故障率计算 | 第29-33页 |
| 3.3.3 器件内部薄弱层分析验证 | 第33-34页 |
| 3.4 多应力作用下压接式IGBT器件的可靠性评估 | 第34-38页 |
| 3.5 小结 | 第38-40页 |
| 4 基于多物理场分析的多芯片IGBT器件可靠性评估 | 第40-50页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 多芯片压接式IGBT器件多物理场建模 | 第40-43页 |
| 4.2.1 两种多芯片压接式IGBT器件结构 | 第40-41页 |
| 4.2.2 多芯片压接式IGBT器件多物理场模型 | 第41-43页 |
| 4.3 基于多物理场分析的多芯片IGBT器件可靠性模型 | 第43-44页 |
| 4.4 多芯片压接式IGBT器件的可靠性评估 | 第44-49页 |
| 4.4.1 多芯片压接式IGBT器件故障率计算 | 第44-48页 |
| 4.4.2 单芯片与多芯片器件可靠性对比 | 第48-49页 |
| 4.5 小结 | 第49-50页 |
| 5 基于故障树分析的MMC换流阀组件可靠性评估 | 第50-62页 |
| 5.1 引言 | 第50页 |
| 5.2 MMC换流阀的运行工况模拟 | 第50-54页 |
| 5.2.1 MMC换流阀电路模型 | 第50-53页 |
| 5.2.2 MMC换流阀运行性能仿真 | 第53-54页 |
| 5.3 基于故障树的MMC换流阀组件可靠性模型 | 第54-58页 |
| 5.3.1 计及运行工况的器件故障率模型 | 第54-55页 |
| 5.3.2 MMC换流阀组件故障树模型 | 第55-56页 |
| 5.3.3 MMC换流阀组件薄弱环节分析 | 第56-58页 |
| 5.4 计及运行工况的MMC换流阀可靠性评估 | 第58-61页 |
| 5.5 小结 | 第61-62页 |
| 6 结论与展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 附录 | 第72页 |
| A.作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第72页 |
| B.作者在攻读硕士学位期间发表的专利 | 第72页 |
| C.作者在攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第72页 |
