| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-34页 |
| 1.1 钙钛矿氧化物薄膜的结构 | 第10-14页 |
| 1.1.1 钙钛矿氧化物薄膜的晶体结构 | 第10-12页 |
| 1.1.2 钙钛矿氧化物薄膜的电子结构 | 第12-13页 |
| 1.1.3 钙钛矿氧化物薄膜的轨道占据 | 第13-14页 |
| 1.2 钙钛矿氧化物轨道相关磁电性能 | 第14-23页 |
| 1.2.1 钙钛矿锰氧化物的轨道及其磁性交换作用 | 第14-16页 |
| 1.2.2 钙钛矿镍氧化物的轨道及其金属绝缘体转变 | 第16-19页 |
| 1.2.3 钙钛矿氧化物异质结的轨道及其磁电性能 | 第19-23页 |
| 1.3 基于轨道的钙钛矿氧化物磁电性能调控机制 | 第23-31页 |
| 1.3.1 电荷转移对轨道的调控 | 第23-25页 |
| 1.3.2 应力对轨道的调控 | 第25-27页 |
| 1.3.3 过渡原子耦合对轨道的调控 | 第27-29页 |
| 1.3.4 电场对轨道的调控 | 第29-31页 |
| 1.4 本文的研究思路及内容 | 第31-34页 |
| 第2章 实验方法 | 第34-46页 |
| 2.1 薄膜制备技术 | 第34-39页 |
| 2.1.1 钙钛矿氧化物薄膜沉积方法 | 第34-35页 |
| 2.1.2 氧化物薄膜实时检测手段 | 第35-37页 |
| 2.1.3 金属薄膜沉积方法 | 第37页 |
| 2.1.4 基片预处理 | 第37-39页 |
| 2.2 薄膜晶体结构表征技术 | 第39-41页 |
| 2.2.1 薄膜晶体质量表征 | 第39-40页 |
| 2.2.2 薄膜外延生长表征 | 第40页 |
| 2.2.3 薄膜截面高分辨表征 | 第40-41页 |
| 2.2.4 薄膜表面结构表征 | 第41页 |
| 2.3 薄膜电子结构表征技术 | 第41-43页 |
| 2.3.1 薄膜价态表征 | 第41-42页 |
| 2.3.2 电子轨道占据表征 | 第42-43页 |
| 2.4 材料性能测试手段 | 第43-46页 |
| 2.4.1 薄膜磁性测量 | 第43-44页 |
| 2.4.2 器件加工及其输运测试 | 第44-46页 |
| 第3章 锰氧化物电子轨道相关的磁性调控 | 第46-70页 |
| 3.1 锰氧化物薄膜的制备及其结构表征 | 第46-50页 |
| 3.1.1 锰氧化物薄膜的制备工艺 | 第47-49页 |
| 3.1.2 锰氧化物的基本结构表征 | 第49-50页 |
| 3.2 锰氧化物薄膜表面对称性恢复导致的磁性增强效应 | 第50-58页 |
| 3.2.1 锰酸镧薄膜磁性增强效应 | 第51-52页 |
| 3.2.2 锰酸镧薄膜表面对称性及轨道极化恢复现象 | 第52-56页 |
| 3.2.3 锰氧化物体系轨道极化恢复引发的磁性增强 | 第56-58页 |
| 3.3 锰氧化物薄膜垂直电子相分离及其交换偏置效应 | 第58-69页 |
| 3.3.1 锰酸镧薄膜的双交换作用及其交换偏置 | 第59-62页 |
| 3.3.2 锰酸镧薄膜交换偏置的来源 | 第62-64页 |
| 3.3.3 锰酸镧薄膜的垂直电子相分离 | 第64-67页 |
| 3.3.4 应力调控垂直电子相分离 | 第67-69页 |
| 3.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第4章 镍氧化物电子轨道相关的金属绝缘体转变 | 第70-95页 |
| 4.1 镍氧化物薄膜的制备工艺及其性能表征 | 第70-74页 |
| 4.1.1 镍酸钕薄膜的制备工艺 | 第70-71页 |
| 4.1.2 镍酸镧薄膜的制备工艺 | 第71-72页 |
| 4.1.3 镍氧化物的金属绝缘体转变 | 第72-74页 |
| 4.2 镍酸钕薄膜电子轨道占据调控的金属绝缘体转变 | 第74-85页 |
| 4.2.1 镍酸钕薄膜厚度相关的金属绝缘体转变特性 | 第75-79页 |
| 4.2.2 镍酸钕薄膜厚度相关的电子轨道占据 | 第79-81页 |
| 4.2.3 电子轨道占据调控的金属绝缘体转变 | 第81-85页 |
| 4.3 铁电极化调控镍氧化物的电子轨道占据 | 第85-93页 |
| 4.3.1 BaTiO_3铁电性能表征 | 第86-87页 |
| 4.3.2 BaTiO_3铁电极化调控电子轨道 | 第87-91页 |
| 4.3.3 铁电调控电子轨道的机制 | 第91-93页 |
| 4.4 本章小结 | 第93-95页 |
| 第5章 锰氧化物和镍化物电子轨道相关的磁电性能 | 第95-114页 |
| 5.1 锰氧化物和镍氧化物异质结生长工艺及其结构表征 | 第95-99页 |
| 5.1.1 锰氧化物和镍氧化物异质结生长工艺 | 第95-97页 |
| 5.1.2 锰氧化物和镍氧化物异质结结构表征 | 第97-99页 |
| 5.2 镧锶锰氧和镍酸镧异质结界面电荷转移及其轨道重构 | 第99-105页 |
| 5.2.1 镧锶锰氧和镍酸镧异质结界面电荷转移 | 第99-101页 |
| 5.2.2 镧锶锰氧和镍酸镧异质结界面轨道重构 | 第101-103页 |
| 5.2.3 镧锶锰氧和镍酸镧异质结电荷转移和轨道重构机制 | 第103-105页 |
| 5.3 镧锶锰氧和镍酸镧异质结交换偏置及其来源 | 第105-112页 |
| 5.3.1 镧锶锰氧和镍酸镧异质结交换偏置 | 第105-109页 |
| 5.3.2 镧锶锰氧和镍酸镧异质结界面自旋玻璃态 | 第109-112页 |
| 5.4 钙钛矿氧化物异质结轨道调控小结 | 第112-113页 |
| 5.5 本章小结 | 第113-114页 |
| 结论 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-127页 |
| 致谢 | 第127-129页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第129-131页 |
