超导离子芯片中离子的加热效应研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 背景介绍 | 第10-19页 |
| 1.1.1 线性离子阱和表面离子芯片 | 第11-12页 |
| 1.1.2 离子阱中囚禁离子的运动 | 第12-14页 |
| 1.1.3 电场噪声和离子异常加热 | 第14页 |
| 1.1.4 库与系统耦合理论 | 第14-17页 |
| 1.1.5 减少异常加热率的实验方法 | 第17-18页 |
| 1.1.6 超导离子芯片 | 第18-19页 |
| 1.2 论文布局 | 第19-21页 |
| 第2章 离子芯片上可能的噪声源和相应的理论模型 | 第21-33页 |
| 2.1 囚禁离子的异常加热效应研究实验 | 第21-24页 |
| 2.1.1 噪声谱密度与频率的关系 | 第21-22页 |
| 2.1.2 噪声谱密度与离子到芯片表面距离的关系 | 第22-23页 |
| 2.1.3 噪声谱密度与电极温度的关系 | 第23-24页 |
| 2.2 异常加热的可能噪声源和相应的理论模型 | 第24-33页 |
| 2.2.1 碎片势模型 | 第24-25页 |
| 2.2.2 表面吸附原子模型 | 第25-26页 |
| 2.2.3 表面电荷扩散模型 | 第26-29页 |
| 2.2.4 近场热噪声模型 | 第29-33页 |
| 第3章 层状金属电极离子芯片的电场噪声 | 第33-50页 |
| 3.1 厚金属电极 | 第33-38页 |
| 3.1.1 厚金属电极表面的热噪声 | 第34-36页 |
| 3.1.2 表面电荷扩散对噪声的影响 | 第36-38页 |
| 3.2 层状金属薄膜电极 | 第38-47页 |
| 3.2.1 厚基底层的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.2 真空中金属薄膜电极的近场噪声 | 第39-41页 |
| 3.2.3 电极厚度的影响 | 第41-44页 |
| 3.2.4 有限趋肤深度的影响 | 第44-45页 |
| 3.2.5 金属薄膜电极中表面电荷扩散的影响 | 第45-47页 |
| 3.3 存在表面污染物层的离子芯片噪声分析 | 第47-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 超导电极离子芯片的电场噪声 | 第50-59页 |
| 4.1 超导体的基本性质 | 第50-54页 |
| 4.1.1 超导电性和迈斯纳效应 | 第51页 |
| 4.1.2 第一类和第二类超导体 | 第51-52页 |
| 4.1.3 二流体模型 | 第52-53页 |
| 4.1.4 BCS理论 | 第53-54页 |
| 4.2 铌电极离子芯片表面的近场热噪声 | 第54-58页 |
| 4.2.1 常温下铌电极表面热噪声 | 第55-56页 |
| 4.2.2 低温下铌电极表面热噪声 | 第56-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 攻读学位期间获得与学位论文相关的科研成果目录 | 第68页 |
