| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 硅衬底GaN基晶圆的生长与结构 | 第10-14页 |
| 1.2.1 MOCVD新型气相外延生长 | 第10-11页 |
| 1.2.2 GaN缓冲层结构 | 第11-12页 |
| 1.2.3 GaN p-n结 | 第12-13页 |
| 1.2.4 GaN多量子阱结构 | 第13-14页 |
| 1.3 论文主要工作及章节安排 | 第14-16页 |
| 第二章 GaN多量子阱器件发光与探测共存现象研究 | 第16-24页 |
| 2.1 GaN基LED的优势及其发光原理 | 第16-18页 |
| 2.1.1 GaN基LED的优势 | 第16-17页 |
| 2.1.2 GaN基LED发光原理 | 第17-18页 |
| 2.2 InGaN/GaN多量子阱结构可见光探测器优势及原理 | 第18-19页 |
| 2.2.1 InGaN/GaN多量子阱可见光探测器的优势 | 第18-19页 |
| 2.2.2 InGaN/GaN多量子阱光电探测器工作原理 | 第19页 |
| 2.3 InGaN/GaN可见光探测器特性参数 | 第19-23页 |
| 2.3.1 上限截止波长 | 第19-20页 |
| 2.3.2 量子效率η和响应度ρ | 第20页 |
| 2.3.3 带宽 | 第20-21页 |
| 2.3.4 暗电流与伏安特性曲线 | 第21-22页 |
| 2.3.5 响应时间和频率特性 | 第22-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 波导集成器件的设计与仿真 | 第24-35页 |
| 3.1 介质光波导理论 | 第24-26页 |
| 3.1.1 二维平板波导 | 第24-25页 |
| 3.1.2 三维光波导 | 第25-26页 |
| 3.2 数值分析法 | 第26-28页 |
| 3.2.1 FDTD分析法 | 第26-27页 |
| 3.2.2 BPM分析法 | 第27-28页 |
| 3.3 Rsoft仿真平台简介 | 第28-30页 |
| 3.4 光耦合器的分类及模拟结果 | 第30-34页 |
| 3.4.1 Y分支耦合器 | 第30-32页 |
| 3.4.2 直波导定向耦合器 | 第32-33页 |
| 3.4.3 反射波导器件 | 第33-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 GaN单片同质集成可见光通信芯片制备及结构表征 | 第35-45页 |
| 4.1 工艺及相关设备 | 第35-40页 |
| 4.1.1 紫外光刻工艺 | 第35-37页 |
| 4.1.2 刻蚀工艺 | 第37-39页 |
| 4.1.3 电子束蒸发镀膜工艺 | 第39页 |
| 4.1.4 快速退火工艺 | 第39-40页 |
| 4.2 器件制备流程 | 第40-42页 |
| 4.3 器件的形貌结构表征 | 第42-44页 |
| 4.3.1 分束器形貌表征 | 第42页 |
| 4.3.2 直波导耦合器形貌表征 | 第42-43页 |
| 4.3.3 反射波导器件形貌表征 | 第43-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 GaN单片同质集成可见光通信芯片性能测试 | 第45-51页 |
| 5.1 通信性能测试仪器设备 | 第46-47页 |
| 5.1.1 T型调制器 | 第46页 |
| 5.1.2 信号发生器 | 第46页 |
| 5.1.3 示波器 | 第46-47页 |
| 5.2 通信性能测试 | 第47-50页 |
| 5.2.1 片外通信性能测试 | 第47页 |
| 5.2.2 片内通信性能测试 | 第47-50页 |
| 5.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第51-52页 |
| 6.2 论文工作展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第56-57页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第57-58页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
