| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第8-14页 |
| 1.1.1 自旋电子学理论 | 第8-10页 |
| 1.1.2 半导体自旋电子学 | 第10-13页 |
| 1.1.3 自旋电子器件产业化介绍 | 第13-14页 |
| 1.2 铁氮磁性材料研究进展 | 第14-16页 |
| 1.3 GaN材料概述及应用 | 第16-20页 |
| 1.3.1 GaN基本性质 | 第17-19页 |
| 1.3.2 GaN材料的应用 | 第19-20页 |
| 第二章 磁控溅射和表征手段 | 第20-27页 |
| 2.1 磁控溅射 | 第20-22页 |
| 2.1.1 磁控溅射的原理 | 第20-21页 |
| 2.1.2 磁控溅射镀膜技术的发展 | 第21-22页 |
| 2.2 X射线衍射(XRD) | 第22-24页 |
| 2.2.1 X射线衍射的原理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 X射线衍射的应用 | 第23-24页 |
| 2.3 X射线光电子能谱(XPS) | 第24-25页 |
| 2.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第25页 |
| 2.5 超导量子干涉仪(SQUID) | 第25-27页 |
| 第三章 高温磁控溅射沉积Fe-N薄膜的磁电性质研究 | 第27-31页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 薄膜的制备与研究 | 第27-30页 |
| 3.3 本章总结 | 第30-31页 |
| 第四章 Fe-N/GaN异质结构的制备和表征 | 第31-59页 |
| 4.1 引言 | 第31-32页 |
| 4.2 Fe/GaN、Fe-N/GaN薄膜样品的制备 | 第32页 |
| 4.3 Fe-N(10)/GaN异质结构的性能研究 | 第32-44页 |
| 4.4 Fe-N(20)/GaN异质结构的性能研究 | 第44-55页 |
| 4.5 Fe-N(20)/GaN的角分辨光电子能谱研究 | 第55-58页 |
| 4.5.1 角分辨光电子能谱(ARPES)简介 | 第55-56页 |
| 4.5.2 实验及结果讨论 | 第56-58页 |
| 4.6 本章总结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-60页 |
| 5.1 本文总结 | 第59页 |
| 5.2 未来展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第64-65页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
