致谢 | 第7-8页 |
摘要 | 第8-10页 |
Abstract | 第10-11页 |
第一章 绪论 | 第19-30页 |
1.1 引言 | 第19页 |
1.2 发光材料概述 | 第19-24页 |
1.2.1 发光材料 | 第19-20页 |
1.2.2 发光材料分类 | 第20-22页 |
1.2.3 聚集诱导荧光淬灭(ACQ)与聚集诱导发光增强(AIEE)现象 | 第22-24页 |
1.3 荧光液晶概述 | 第24-26页 |
1.3.1 液晶 | 第24-25页 |
1.3.2 荧光液晶 | 第25-26页 |
1.4 基于荧光二色性染料的宾主体系概述 | 第26-27页 |
1.5 课题研究背景 | 第27-28页 |
1.6 本文研究内容 | 第28-30页 |
第二章 α-氰基取代二苯乙烯衍生物(CN-NPFA)的合成及表征 | 第30-38页 |
2.1 引言 | 第30页 |
2.2 实验材料及仪器设备 | 第30-31页 |
2.3 CN-NPFA的结构式 | 第31-32页 |
2.4 CN-NPFA分子的合成路线及结构表征 | 第32-33页 |
2.4.1 中间体4-壬氧基苯乙腈(T_1)的合成与表征 | 第32页 |
2.4.2 目标产物CN-NPFA的合成与表征 | 第32-33页 |
2.5 目标化合物的性能研究 | 第33-37页 |
2.5.1 发光性能及AIEE效应 | 第33-35页 |
2.5.2 热力学性能及液晶性能 | 第35-37页 |
2.6 本章小结 | 第37-38页 |
第三章 基于荧光液晶分子的高偏振荧光薄膜 | 第38-49页 |
3.1 引言 | 第38页 |
3.2 实验材料及仪器设备 | 第38-39页 |
3.3 摩擦取向制备CN-NPFA偏振薄膜 | 第39-41页 |
3.4 面内电场电控取向制备CN-NPFA偏振薄膜 | 第41-44页 |
3.4.1 面内电极 | 第41页 |
3.4.2 面内电极制备 | 第41-42页 |
3.4.3 面内电场电控取向 | 第42-44页 |
3.5 面内电场与摩擦取向层结合制备CN-NPFA偏振薄膜 | 第44-47页 |
3.5.1 制备带有摩擦取向层的面内电极 | 第45页 |
3.5.2 面内电极与PI取向层取向CN-NPFA分子 | 第45-47页 |
3.6 CN-NPFA表面形貌研究 | 第47-48页 |
3.7 本章小结 | 第48-49页 |
第四章 近晶B相液晶材料与高二色性荧光染料的合成与表征 | 第49-63页 |
4.1 引言 | 第49页 |
4.2 实验材料及仪器设备 | 第49-50页 |
4.3 荧光二色性染料BHAPBT、BNAPBT、BUAPBT、BNPBT的结构式 | 第50-51页 |
4.4 荧光二色性染料BHAPBT、BNAPBT、BUAPBT、BNPBT的合成路线及结构表征 | 第51-55页 |
4.4.1 中间体4,7-(4-甲氧基苯基)苯并-2,1,3-噻二唑(1)的合成与表征 | 第52页 |
4.4.2 中间体4,7-(4-羟苯基)苯并-2,1,3-噻二唑(2)的合成与表征 | 第52页 |
4.4.3 中间体6-溴己氧基丙烯酸酯(3)的合成与表征 | 第52-53页 |
4.4.4 中间体9-溴壬氧基丙烯酸酯(4)的合成与表征 | 第53页 |
4.4.5 中间体11-溴十一烷氧基丙烯酸酯(5)的合成与表征 | 第53页 |
4.4.6 目标产物BHAPBT的合成与表征 | 第53-54页 |
4.4.7 目标产物BNAPBT的合成与表征 | 第54页 |
4.4.8 目标产物BUAPBT的合成与表征 | 第54-55页 |
4.4.9 目标产物BNPBT的合成与表征 | 第55页 |
4.5 近晶B相液晶材料(AHPPAHB)的结构式 | 第55-56页 |
4.6 近晶B相液晶材料AHPPAHB的合成路线及结构表征 | 第56-59页 |
4.6.1 中间体4-(6-羟基己氧基)苯甲酸乙酯(6)的合成与表征 | 第56-57页 |
4.6.2 中间体4-(6-羟基己氧基)苯甲酸(7)的合成与表征 | 第57页 |
4.6.3 中间体4-(6-丙烯酰氧基己氧基)苯甲酸(8)的合成与表征 | 第57页 |
4.6.4 中间体1,2-(4-羟基苯基)乙基(9)的合成与表征 | 第57-58页 |
4.6.5 中间体6-(4-2-(4-羟基苯基)乙基)苯氧基)己醇(10)的合成与表征 | 第58页 |
4.6.6 中间体6-(4-(2-(4-羟基苯基)乙基)苯氧基)丙烯酸己酯(11)的合成与表征 | 第58-59页 |
4.6.7 目标化合物APPPAHB的合成与表征 | 第59页 |
4.7 荧光二色性染料与近晶B相液晶材料的性能研究 | 第59-62页 |
4.7.1 荧光二色性染料BHAPBT、BNAPBT、BUAPBT、BNPBT的发光性能 | 第59-60页 |
4.7.2 近晶B相液晶材料AHPPAHB的液晶性能 | 第60-62页 |
4.8 本章小结 | 第62-63页 |
第五章 基于近晶B相液晶分子和荧光二色性染料的高偏振荧光薄膜 | 第63-74页 |
5.1 引言 | 第63页 |
5.2 实验材料及仪器设备 | 第63-64页 |
5.3 制备高偏振荧光薄膜的实验条件 | 第64-68页 |
5.3.1 二色性混合物中各组分的含量 | 第64页 |
5.3.2 二色性混合物的介晶性能 | 第64-65页 |
5.3.3 二色性混合物的有序度 | 第65-67页 |
5.3.4 制备高偏振荧光薄膜的聚合温度与聚合时间 | 第67-68页 |
5.4 高偏振荧光薄膜的性能研究 | 第68-73页 |
5.4.1 高偏振荧光薄膜的偏振性 | 第68-70页 |
5.4.2 高偏振荧光薄膜的热稳定性 | 第70-73页 |
5.5 本章小结 | 第73-74页 |
第六章 结论 | 第74-76页 |
参考文献 | 第76-86页 |
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第86页 |
1) 参加的学术交流与科研项目 | 第86页 |
2) 发表的学术论文 | 第86页 |
3) 获得的学术奖励 | 第86页 |