摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-28页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 钙钛矿结构材料 | 第9-14页 |
1.2.1 钙钛矿氧化物 | 第11页 |
1.2.2 钙钛矿卤化物 | 第11-14页 |
1.3 纯无机钙钛矿薄膜的制备 | 第14-17页 |
1.3.1 溶液旋涂法(One/Two-Steps Solution Spin Coating) | 第15-16页 |
1.3.2 气相辅助溶液沉积法(Vapor-Assisted Solution Process) | 第16-17页 |
1.3.3 喷涂沉积法(SprayDeposition Method) | 第17页 |
1.4 纯无机钙钛矿量子点的制备 | 第17-24页 |
1.4.1 高温热注射法(High Temperature Hot-Injection Route) | 第18-20页 |
1.4.2 室温共沉淀法(Room-Temperature Co-precipitation Method) | 第20-21页 |
1.4.3 一步尖端超声法(Single-Step Tip Sonication Method) | 第21-22页 |
1.4.4 溶剂热法(Solvothermal Method) | 第22页 |
1.4.5 固相法(Solid-State Synthesis Method) | 第22-23页 |
1.4.6 模板法(Template-Assisted Method) | 第23-24页 |
1.5 钙钛矿材料应用 | 第24-26页 |
1.5.1 放大自发发射及激光应用 | 第24-25页 |
1.5.2 光电二极管应用 | 第25页 |
1.5.3 太阳能电池应用 | 第25-26页 |
1.6 课题的提出与研究目的 | 第26-28页 |
第二章 卤化铅铯多晶薄膜制备及性能表征 | 第28-53页 |
2.1 引言 | 第28-29页 |
2.2 实验部分 | 第29-34页 |
2.2.1 实验原料与设备 | 第29-30页 |
2.2.2 制备方法 | 第30-32页 |
2.2.3 测试仪器及表征手段 | 第32-34页 |
2.3 结果与讨论 | 第34-51页 |
2.3.1 旋涂温度对CsPbBr_3薄膜成核生长过程的影响 | 第34-46页 |
2.3.2 PEG添加物对CsPbBr_3薄膜性能的影响 | 第46-51页 |
2.4 本章小结 | 第51-53页 |
第三章 高效发光的卤化铅铯纳米晶合成及性能表征 | 第53-73页 |
3.1 引言 | 第53-54页 |
3.2 实验部分 | 第54-58页 |
3.2.1 实验原料及设备 | 第54-55页 |
3.2.2 合成方法 | 第55-56页 |
3.2.3 测试仪器及表征方法 | 第56-58页 |
3.3 结果与讨论 | 第58-71页 |
3.3.1 Ni掺杂CsPbCl_3纳米晶的物相及形貌分析 | 第58-61页 |
3.3.2 Ni掺杂CsPbCl_3纳米晶的光学性能表征 | 第61-63页 |
3.3.3 Ni掺杂对CsPbCl_3纳米晶的微观结构影响 | 第63-67页 |
3.3.4 理论计算 | 第67-70页 |
3.3.5 Ni掺杂对CsPb(Cl/Br)3纳米晶形貌及光学性能的影响 | 第70-71页 |
3.4 本章小结 | 第71-73页 |
第四章 结论与展望 | 第73-75页 |
参考文献 | 第75-92页 |
攻读硕士学位期间已发表的论文 | 第92-94页 |
致谢 | 第94-95页 |