硅基APD近紫外探测增强的结构优化研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 课题的来源及研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-13页 |
| 1.2.1 器件级紫光探测器材料的发展 | 第9-11页 |
| 1.2.2 APD结构的演变 | 第11-13页 |
| 1.3 论文的主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 硅基APD基本理论 | 第15-34页 |
| 2.1 耗尽区电场分布 | 第15-18页 |
| 2.2 雪崩增益与击穿电压 | 第18-22页 |
| 2.2.1 碰撞电离 | 第18-21页 |
| 2.2.2 雪崩倍增 | 第21-22页 |
| 2.2.3 击穿电压 | 第22页 |
| 2.3 光吸收与量子效率 | 第22-33页 |
| 2.3.1 初始击穿概率 | 第23-24页 |
| 2.3.2 表面的反射与折射 | 第24-25页 |
| 2.3.3 硅中的光吸收 | 第25-28页 |
| 2.3.4 非耗尽层的吸收 | 第28-30页 |
| 2.3.5 量子效率的计算 | 第30-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 硅基APD结构优化设计 | 第34-44页 |
| 3.1 多层膜系统设计 | 第34-40页 |
| 3.1.1 表面镀抗反射（AR）膜 | 第34页 |
| 3.1.2 抗反折膜满足的条件 | 第34-36页 |
| 3.1.3 多膜系统 | 第36-40页 |
| 3.2 器件内部结构优化设计 | 第40-43页 |
| 3.2.1 氧化层厚度 | 第40-41页 |
| 3.2.2 非耗尽n型层 | 第41-42页 |
| 3.2.3 耗尽层 | 第42-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 硅基APD结构工艺模拟 | 第44-59页 |
| 4.1 Silvaco TCAD | 第44-45页 |
| 4.2 初始APD结构的工艺模拟 | 第45-53页 |
| 4.2.1 基底工艺模拟 | 第45页 |
| 4.2.2 外延工艺模拟 | 第45-47页 |
| 4.2.3 高场区的离子注入 | 第47-49页 |
| 4.2.4 初始结构 | 第49-53页 |
| 4.3 优化结构的工艺模拟 | 第53-56页 |
| 4.4 流片测试 | 第56-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
