| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第10页 |
| 1.2 PDP的发展历史 | 第10-11页 |
| 1.3 PDP的研发现状 | 第11-16页 |
| 1.3.1 PDP的结构研究 | 第12-13页 |
| 1.3.2 AC PDP介质层的研究 | 第13-16页 |
| 1.4 本论文研究意义 | 第16页 |
| 1.5 本论文的主要内容及安排 | 第16-18页 |
| 第二章 AC-PDP工作原理及气体放电理论 | 第18-31页 |
| 2.1 PDP的工作原理 | 第18-21页 |
| 2.1.1 AC-PDP的结构 | 第18-20页 |
| 2.1.2 AC-PDP介质保护层 | 第20页 |
| 2.1.3 AC-PDP单元放电 | 第20-21页 |
| 2.2 AC-PDP的气体放电理论 | 第21-28页 |
| 2.2.1 气体放电伏安特性 | 第21-23页 |
| 2.2.2 汤生放电理论 | 第23-25页 |
| 2.2.3 帕邢定律 | 第25-27页 |
| 2.2.4 气体放电延迟时间 | 第27-28页 |
| 2.3 MgO掺杂LaB_6可行性分析 | 第28-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 MgO掺杂La B6复合薄膜 | 第31-52页 |
| 3.1 薄膜技术应用 | 第31-35页 |
| 3.1.1 化学气相沉积 | 第31页 |
| 3.1.2 蒸发法 | 第31-32页 |
| 3.1.3 离子镀 | 第32-33页 |
| 3.1.4 磁控溅射 | 第33-35页 |
| 3.2 薄膜形成的基本原理 | 第35-36页 |
| 3.3 射频溅射LaB_6薄膜分析 | 第36-42页 |
| 3.3.1 LaB_6薄膜XPS测试分析 | 第37-38页 |
| 3.3.2 溅射功率对LaB_6晶化的影响 | 第38-40页 |
| 3.3.3 溅射功率对LaB_6晶面的影响 | 第40-41页 |
| 3.3.4 溅射时间对LaB_6薄膜透过率的影响 | 第41-42页 |
| 3.4 MgO掺杂LaB_6复合薄膜分析 | 第42-48页 |
| 3.4.1 不同LaB_6比例对薄膜形貌影响 | 第43-44页 |
| 3.4.2 不同LaB_6比例对光学性能的影响 | 第44-45页 |
| 3.4.3 溅射功率对薄膜形貌的影响 | 第45页 |
| 3.4.4 溅射功率对薄膜透过率的影响 | 第45-46页 |
| 3.4.5 不同溅射气体比例下复合膜形貌分析 | 第46-47页 |
| 3.4.6 溅射时不同气体比例对薄膜透过率的影响 | 第47-48页 |
| 3.5 MgO掺杂LaB_6复合薄膜成分分析 | 第48-50页 |
| 3.6 电子束蒸发镀膜 | 第50-51页 |
| 3.7 本章总结 | 第51-52页 |
| 第四章 MgO掺杂La B6放电性能测试 | 第52-71页 |
| 4.1 测试装置 | 第52-56页 |
| 4.1.1 单向脉冲控制电源 | 第52-53页 |
| 4.1.2 双向脉冲控制电源 | 第53-56页 |
| 4.2 老炼对测试的影响 | 第56-57页 |
| 4.3 掺杂LaB_6不同比例下薄膜放电性能测试 | 第57-63页 |
| 4.3.1 不同LaB_6比例对薄膜着火电压的影响 | 第57-60页 |
| 4.3.2 不同LaB_6比例对薄膜维持电压的影响 | 第60-63页 |
| 4.4 不同氙气浓度对薄膜放电性能的影响 | 第63-64页 |
| 4.5 溅射功率对薄膜放电性能的影响 | 第64-67页 |
| 4.5.1 溅射功率的改变对薄膜着火电压的影响 | 第65-66页 |
| 4.5.2 溅射功率的改变对薄膜维持电压的影响 | 第66-67页 |
| 4.6 溅射气体比例的改变对薄膜放电性能的影响 | 第67-68页 |
| 4.7 MgO掺杂LaB_6对放电延时的影响 | 第68-69页 |
| 4.8 本章总结 | 第69-71页 |
| 第五章 结论与展望 | 第71-73页 |
| 5.1 总结 | 第71-72页 |
| 5.2 实验中的不足和展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第79-80页 |