| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-41页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 钙钛矿类氧化物 | 第14-19页 |
| 1.2.1 钙钛矿和层状钙钛矿氧化物的晶体结构 | 第14-16页 |
| 1.2.2 钙钛矿类氧化物量子功能材料简介 | 第16-19页 |
| 1.3 多铁材料 | 第19-27页 |
| 1.3.1 多铁材料的研究背景和产生机制 | 第19-20页 |
| 1.3.2 层状Aurivillius相氧化物多铁材料 | 第20-27页 |
| 1.4 二维磁性材料 | 第27-29页 |
| 1.4.1 二维磁性材料的研究背景与现状 | 第27-28页 |
| 1.4.2 SrRuO_3薄膜简介 | 第28-29页 |
| 1.5 本论文的研究工作 | 第29页 |
| 1.5.1 Aurivillius相氧化物Bi_6Fe_2Ti_3O_(18)外延单晶薄膜的掺杂调控和磁性研究 | 第29页 |
| 1.5.2 SrRuO_3/SrTiO_3超晶格薄膜的磁性调控与二维磁性研究 | 第29页 |
| 1.6 本章总结 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-41页 |
| 第2章 薄膜材料的制备方法与性能表征技术 | 第41-73页 |
| 2.1 引言 | 第41页 |
| 2.2 外延单晶薄膜样品的制备 | 第41-48页 |
| 2.2.1 靶材的选取与制备 | 第41页 |
| 2.2.2 衬底的选择与表面处理 | 第41-43页 |
| 2.2.3 脉冲激光沉积技术 | 第43-45页 |
| 2.2.4 反射式高能电子衍射 | 第45-48页 |
| 2.3 薄膜样品的结构表征 | 第48-50页 |
| 2.3.1 表面形貌表征 | 第48页 |
| 2.3.2 晶体结构表征 | 第48-50页 |
| 2.4 薄膜样品的性能表征 | 第50-54页 |
| 2.4.1 薄膜样品的磁性测试 | 第50-52页 |
| 2.4.2 薄膜样品的电输运测试 | 第52-54页 |
| 2.5 薄膜样品电子结构的同步辐射谱学表征 | 第54-60页 |
| 2.5.1 同步辐射光源简介 | 第55页 |
| 2.5.2 近边软X射线吸收谱与X射线发射谱 | 第55-57页 |
| 2.5.3 共振非弹性软X射线散射 | 第57-59页 |
| 2.5.4 XAS与RIXS谱的数据处理与计算拟合 | 第59-60页 |
| 2.6 本章总结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-73页 |
| 第3章 原子掺杂调控Aurivillius相氧化物Bi_6Fe_2Ti_3O_(18)薄膜磁性研究 | 第73-101页 |
| 3.1 引言 | 第73-74页 |
| 3.2 实验过程与表征技术 | 第74-75页 |
| 3.3 BFTO、BFCTO和LBFCTO外延单晶薄膜的生长 | 第75-79页 |
| 3.3.1 生长温度的影响 | 第75-77页 |
| 3.3.2 元素掺杂对薄膜表面形貌和晶体结构的影响 | 第77-79页 |
| 3.4 薄膜的磁性表征 | 第79-80页 |
| 3.5 BFTO、BFCTO和LBFCTO薄膜的XAS测试研究 | 第80-84页 |
| 3.5.1 Fe、Co和Ti L边XAS | 第80-82页 |
| 3.5.2 O Kα XES和K边XAS | 第82-84页 |
| 3.6 BFTO、BFCTO和LBFCTO薄膜的RIXS测试研究 | 第84-87页 |
| 3.6.1 Fe L边RIXS | 第84-86页 |
| 3.6.2 Co L边RIXS | 第86-87页 |
| 3.7 Fe和CoL边RIXS和XAS实验谱的计算拟合 | 第87-93页 |
| 3.7.1 RIXS实验谱的拟合 | 第87-90页 |
| 3.7.2 RIXS谱拟合可靠性讨论 | 第90-92页 |
| 3.7.3 XAS实验谱的拟合 | 第92-93页 |
| 3.8 本章总结 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-101页 |
| 第4章 SrRuO_3/SrTiO_3超晶格薄膜的二维磁性研究 | 第101-119页 |
| 4.1 引言 | 第101-102页 |
| 4.2 实验过程与表征技术 | 第102-103页 |
| 4.3 SRO/STO超晶格薄膜的制备 | 第103-104页 |
| 4.3.1 SrTiO_3衬底的表面处理 | 第103-104页 |
| 4.3.2 原子层厚度SRO生长过程的RHEED监控 | 第104页 |
| 4.4 薄膜晶体结构和表面形貌表征 | 第104-106页 |
| 4.5 磁性测试 | 第106-108页 |
| 4.6 电输运与磁各向异性 | 第108-111页 |
| 4.6.1 电输运与磁阻测试 | 第108-110页 |
| 4.6.2 角分辨磁阻测试 | 第110-111页 |
| 4.7 电子结构表征 | 第111-114页 |
| 4.7.1 TiL边和O K边XAS | 第111-112页 |
| 4.7.2 角度依赖O K边XAS | 第112-114页 |
| 4.8 本章总结 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-119页 |
| 第5章 总结与展望 | 第119-127页 |
| 5.1 全文内容总结 | 第119-121页 |
| 5.2 Aurivillius相氧化物外延薄膜的后续研究展望 | 第121-122页 |
| 5.3 SRO/STO超晶格薄膜的后续研究展望 | 第122-125页 |
| 5.3.1 SRO/STO超晶格薄膜的导电性能改善 | 第122-123页 |
| 5.3.2 SRO/STO超晶格薄膜的光学性能研究 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-127页 |
| 致谢 | 第127-128页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第128页 |
