| 提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·课题研究的现状及意义 | 第7-10页 |
| ·量子材料发展的紧迫性 | 第8页 |
| ·量子点材料的发展前景 | 第8-9页 |
| ·量子点材料的实际应用 | 第9-10页 |
| ·ZnO 半导体材料基本特性 | 第10-11页 |
| ·ZnO 半导体材料的物理特性 | 第10-11页 |
| ·ZnO 半导体材料的研究的重要性 | 第11页 |
| ·ZnO 半导体材料的研究领域 | 第11-16页 |
| ·ZnO 半导体材料的最新研究进展 | 第11-12页 |
| ·ZnO 半导体的激光行为主要研究领域 | 第12-15页 |
| ·ZnO 半导体的研究热点 | 第15-16页 |
| ·本文的研究意义及内容安排 | 第16-17页 |
| 第二章 ZnO 半导体材料的制备技术及表征手段 | 第17-24页 |
| ·低维结构的主要生长方法 | 第17-19页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第17-18页 |
| ·金属有机化学气相淀积（MOCVD） | 第18页 |
| ·纳米结构组装是制备量子结构最有前途的方法 | 第18-19页 |
| ·半导体低维结构的主要表征手段 | 第19-24页 |
| ·X 射线衍射谱 | 第19-20页 |
| ·光致发光谱 | 第20-21页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第21-24页 |
| 第三章 Mn 掺杂、修饰的纳米晶ZnO 的制备 | 第24-29页 |
| ·ZnO 基稀磁半导体研究进展 | 第24-28页 |
| ·氧化物半导体系统理论研究进展 | 第24-25页 |
| ·ZnO 基稀磁半导体材料系统实验研究进展 | 第25-28页 |
| ·料制备及表征 | 第28-29页 |
| ·样品制备所需原料 | 第28页 |
| ·样品制备 | 第28页 |
| ·样品表征 | 第28-29页 |
| 第四章 Mn 掺杂、修饰的纳米晶ZnO 光学与磁学性质研究 | 第29-39页 |
| ·Mn 掺杂的纳米ZnO 的平均粒径的理论值与实际值 | 第29-30页 |
| ·不同温度下样品的XRD 曲线 | 第29-30页 |
| ·Mn 掺杂的纳米ZnO 的光学特性 | 第30-38页 |
| ·不同温度下样品的能量散射光谱（EDS） | 第30-32页 |
| ·不同温度下样品的X 射线光电子能谱（XPS） | 第32页 |
| ·Mn 掺杂的纳米ZnO 光学特性的试验结果与分析 | 第32-38页 |
| ·不同温度下样品的铁磁性 | 第38-39页 |
| 第五章 Mn 掺杂的ZnO 缺陷及原因 | 第39-48页 |
| ·磁性离子之间的主要的交换作用 | 第39-40页 |
| ·Mn 掺杂到不同位置对样品物理性质的影响 | 第40-46页 |
| ·在纤锌矿结构的ZnO 超原胞模型上建立坐标系 | 第40-41页 |
| ·掺杂到ZnO 的三种不同位置时对样品晶格常数的影响 | 第41-42页 |
| ·Mn 掺杂位置不同时对样品铁磁性的影响 | 第42-43页 |
| ·验证Mn 掺杂位置不同时对样品铁磁性的影响的计算结果的正确性 | 第43-46页 |
| ·Mn 掺杂的纳米ZnO 缺陷产生的原因 | 第46-48页 |
| 总结 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 摘要 | 第53-58页 |
| Abstract | 第58-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
