| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第10页 |
| 1.2 国内外GaNHEMT研究状况 | 第10-15页 |
| 1.2.1 器件方面 | 第10-13页 |
| 1.2.2 统计模型方面 | 第13-15页 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 | 第15页 |
| 1.4 本文的研究内容和结构安排 | 第15-17页 |
| 第二章 GaNHEMT机理及模型概述 | 第17-22页 |
| 2.1 GaN材料特性 | 第17-18页 |
| 2.2 GaNHEMT器件结构与工作原理 | 第18-20页 |
| 2.2.1 器件结构 | 第18-19页 |
| 2.2.2 工作原理 | 第19-20页 |
| 2.3 GaNHEMT模型分类及建模方法 | 第20-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 微波GaNHEMT物理基模型研究 | 第22-42页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 小信号等效电路模型 | 第22-30页 |
| 3.2.1 小信号等效电路模型拓扑 | 第22-23页 |
| 3.2.2 寄生参数提取 | 第23-26页 |
| 3.2.3 本征参数提取 | 第26-29页 |
| 3.2.4 小信号等效电路模型验证 | 第29-30页 |
| 3.3 基于表面势的GaNHEMT大信号物理基模型研究 | 第30-40页 |
| 3.3.1 表面势理论简述 | 第30-32页 |
| 3.3.2 GaNHEMT物理基C-V模型 | 第32-34页 |
| 3.3.3 GaNHEMT物理基I-V模型 | 第34-36页 |
| 3.3.4 GaNHEMT物理基模型经验参数的确定及模型验证 | 第36-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 基于蒙特卡罗方法的GaNHEMT物理基统计模型研究 | 第42-52页 |
| 4.1 统计方法简介 | 第42-45页 |
| 4.2 样本模型建立及物理参数汇总 | 第45-46页 |
| 4.3 大信号物理基统计模型 | 第46-51页 |
| 4.3.1 大信号统计模型的建立 | 第47-48页 |
| 4.3.2 大信号统计模型的验证 | 第48-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 全文总结 | 第52页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第59页 |
