复杂箱体的屏蔽效能研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3 箱体电磁屏蔽概述 | 第11-12页 |
| 1.4 研究内容及创新点 | 第12-13页 |
| 第2章 箱体孔阵的屏蔽效能分析 | 第13-25页 |
| 2.1 引言 | 第13-14页 |
| 2.2 孔阵屏蔽效能的理论分析 | 第14-16页 |
| 2.3 数值计算方法分析 | 第16-19页 |
| 2.3.1 数值计算方法分类 | 第16-18页 |
| 2.3.2 CST软件介绍 | 第18-19页 |
| 2.4 箱体孔阵建模仿真及结果分析 | 第19-24页 |
| 2.4.1 不同孔阵箱体的电场强度计算结果 | 第20-22页 |
| 2.4.2 箱体内部电场强度云图 | 第22-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 基于传输线方法的复杂箱体屏蔽效能研究 | 第25-36页 |
| 3.1 引言 | 第25-26页 |
| 3.2 传输线方法理论 | 第26-27页 |
| 3.3 箱体内部的窗口结构 | 第27-28页 |
| 3.4 带窗口结构箱体的屏蔽效能 | 第28-30页 |
| 3.5 窗口结构对屏蔽效能影响的仿真及分析 | 第30-35页 |
| 3.5.1 基于传输线方法的窗口模型验证 | 第30-31页 |
| 3.5.2 窗口结构对箱体屏蔽效能的影响 | 第31-32页 |
| 3.5.3 窗口的大小对箱体屏蔽效能的影响 | 第32-33页 |
| 3.5.4 箱体中含多层窗口金属片的仿真分析 | 第33-35页 |
| 3.6 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 基于场路结合法研究电磁耦合效应 | 第36-49页 |
| 4.1 引言 | 第36-37页 |
| 4.2 场路结合法理论 | 第37-40页 |
| 4.2.1 基于二端口网络的等效电路模型 | 第37-39页 |
| 4.2.2 MPIE-MOM法求解H参数 | 第39-40页 |
| 4.3 屏蔽箱体及PCB的电磁辐照效应建模 | 第40-44页 |
| 4.3.1 屏蔽箱体网格模型 | 第40-41页 |
| 4.3.2 高斯脉冲干扰源 | 第41页 |
| 4.3.3 数值计算程序 | 第41-43页 |
| 4.3.4 箱体内PCB电路模型 | 第43-44页 |
| 4.4 等效模型的验证 | 第44-45页 |
| 4.5 高斯脉冲干扰仿真分析 | 第45-47页 |
| 4.5.1 PCB各层电路干扰耦合效应 | 第45-47页 |
| 4.5.2 脉冲宽度对干扰的影响 | 第47页 |
| 4.6 本章小结 | 第47-49页 |
| 第5章 结论与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 结论 | 第49页 |
| 5.2 展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其他成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
