| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| §1.1 引言 | 第10-11页 |
| §1.2 一维纳米结构的种类和生长机理 | 第11-18页 |
| §1.2.1 一维纳米结构种类 | 第11页 |
| §1.2.2 VLS生长机制 | 第11-13页 |
| §1.2.3 SLS生长机制 | 第13-14页 |
| §1.2.4 VSS生长机制 | 第14-15页 |
| §1.2.5 催化机制 | 第15-18页 |
| §1.3 一维纳米结构的物理特性 | 第18-20页 |
| §1.3.1 电学性能 | 第18页 |
| §1.3.2 场致发射性能 | 第18-19页 |
| §1.3.3 光学性能 | 第19页 |
| §1.3.4 磁学性能和巨磁电阻现象 | 第19-20页 |
| §1.4 论文内容简介 | 第20-21页 |
| 第二章 实验设备和表征手段 | 第21-39页 |
| §2.1 样品制备实验装置 | 第21-25页 |
| §2.1.1 锗硅分子束外延系统 | 第21-23页 |
| §2.1.2 磁控溅射 | 第23-25页 |
| §2.1.3 真空退火炉 | 第25页 |
| §2.2 样品表征手段 | 第25-39页 |
| §2.2.1 透射电子显微镜 | 第25-29页 |
| §2.2.2 拉曼光谱 | 第29-32页 |
| §2.2.3 扫描电子显微镜 | 第32-35页 |
| §2.2.4 原子力显微镜 | 第35-39页 |
| 第三章 芯壳结构硅-氧化硅纳米线的制备和生长机理研究 | 第39-47页 |
| §3.1 引言 | 第39页 |
| §3.2 芯壳结构硅-氧化硅纳米线的制备 | 第39-40页 |
| §3.3 芯壳结构硅-氧化硅纳米线的微结构表征 | 第40-42页 |
| §3.4 通过拉曼光谱和TEM分析金属铁和离子态铁对芯壳结构纳米线的催化影响 | 第42-45页 |
| §3.5 芯壳结构硅-氧化硅纳米线生长机理的提出 | 第45-46页 |
| §3.6 结论 | 第46-47页 |
| 第四章 锗催化生长非晶氧化硅纳米线及其光电应用 | 第47-56页 |
| §4.1 引言 | 第47页 |
| §4.2 样品制备 | 第47-48页 |
| §4.3 非晶氧化硅纳米线的微结构表征 | 第48-50页 |
| §4.4 对比实验证明金属态锗起到了氧化硅纳米线生长的作用 | 第50-53页 |
| §4.5 生长机理的提出 | 第53-55页 |
| §4.6 结论 | 第55-56页 |
| 第五章 单晶α-Si_3N_4/Si-SiO_x芯壳/豆荚状Au-SiO_x轴向双异质结纳米线的制备,生长机理和发光性能研究 | 第56-67页 |
| §5.1 引言 | 第56-57页 |
| §5.2 异质结纳米线的制备 | 第57页 |
| §5.3 异质结纳米线的微结构表征 | 第57-61页 |
| §5.4 对比实验证明纳米线不同部分的生长顺序及其生长原理 | 第61-64页 |
| §5.5 生长机制的提出 | 第64-65页 |
| §5.6 结论 | 第65-67页 |
| 第六章 钨催化直氧化硅纳米线的生长 | 第67-75页 |
| §6.1 引言 | 第67页 |
| §6.2 样品的制备 | 第67-68页 |
| §6.3 氧化硅纳米线的形貌和微结构表征 | 第68-70页 |
| §6.4 对比试验发现金属钨和锗对直的氧化硅纳米线的生长起到了重要的作用 | 第70-72页 |
| §6.5 生长机理 | 第72-74页 |
| §6.6 结论 | 第74-75页 |
| 第七章 硅覆盖锗硅量子点的氧化特性 | 第75-81页 |
| §7.1 引言 | 第75页 |
| §7.2 硅覆盖锗硅量子点的制备,及其氧气退火的试验条件 | 第75-76页 |
| §7.3 从HAADF和拉曼的角度分析锗组分的再分布 | 第76-79页 |
| §7.4 形成机理的探讨 | 第79-80页 |
| §7.5 结论 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-88页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文和专利 | 第88-89页 |
| 攻读博士学位期间参加的学术会议 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
