摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-26页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 太阳能电池简介 | 第12-15页 |
1.2.1 薄膜太阳能电池研究现状 | 第12-13页 |
1.2.2 太阳能电池原理 | 第13-15页 |
1.3 忆阻器简介 | 第15-20页 |
1.3.1 忆阻器研究现状 | 第15-16页 |
1.3.2 忆阻器存储机制 | 第16-20页 |
1.3.3 忆阻器中的负微分电阻效应 | 第20页 |
1.4 CZTSe的物理化学性质 | 第20-24页 |
1.4.1 CZTSe晶体结构 | 第21页 |
1.4.2 CZTSe能带结构 | 第21-22页 |
1.4.3 CZTSe成分及成相 | 第22-23页 |
1.4.4 磁控溅射法制备CZTSe薄膜研究进展 | 第23-24页 |
1.5 研究思路与内容 | 第24-26页 |
第2章 薄膜及器件的制备与表征 | 第26-35页 |
2.1 引言 | 第26页 |
2.2 溅射镀膜及退火装置 | 第26-28页 |
2.2.1 磁控溅射仪简介 | 第26-27页 |
2.2.2 退火装置简介 | 第27-28页 |
2.3 薄膜性能表征 | 第28-31页 |
2.3.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第28页 |
2.3.2 拉曼光谱分析 | 第28-29页 |
2.3.3 扫描电子显微镜分析 | 第29-30页 |
2.3.4 四探针测试分析 | 第30页 |
2.3.5 光电导测试分析 | 第30-31页 |
2.4 薄膜器件的电学性能测试 | 第31-35页 |
2.4.1 太阳电池器件性能测试 | 第31-33页 |
2.4.2 忆阻器性能测试 | 第33-35页 |
第3章 CZTSe薄膜的一步溅射法制备 | 第35-47页 |
3.1 引言 | 第35页 |
3.2 一步溅射法制备CZTSe靶材 | 第35-36页 |
3.3 衬底温度对CZTSe薄膜性能影响 | 第36-40页 |
3.3.1 衬底温度对薄膜晶体结构影响 | 第37-38页 |
3.3.2 衬底温度对薄膜形貌及成分影响 | 第38-39页 |
3.3.3 衬底温度对薄膜电学性能影响 | 第39-40页 |
3.4 溅射功率对CZTSe薄膜性能影响 | 第40-43页 |
3.4.1 溅射功率对CZTSe薄膜晶体结构影响 | 第41页 |
3.4.2 溅射功率对CZTSe薄膜成分及沉积速率的影响 | 第41-43页 |
3.5 溅射气压对CZTSe薄膜性能影响 | 第43-46页 |
3.5.1 溅射气压对CZTSe薄膜晶体结构影响 | 第44页 |
3.5.2 溅射气压对CZTSe薄膜对沉积速率影响 | 第44-46页 |
3.6 本章小结 | 第46-47页 |
第4章 硒化退火对CZTSe薄膜结构及性能影响 | 第47-64页 |
4.1 引言 | 第47页 |
4.2 不同固态硒源对CZTSe薄膜性能影响 | 第47-55页 |
4.2.1 不同硒源退火对CZTSe薄膜晶体结构的影响 | 第48-50页 |
4.2.2 不同硒源退火对薄膜形貌及成分影响 | 第50-53页 |
4.2.3 不同硒源退火对薄膜电学性能影响 | 第53-55页 |
4.3 退火温度对CZTSe薄膜性能的影响 | 第55-63页 |
4.3.1 退火温度对薄膜晶体结构的影响 | 第56-58页 |
4.3.2 退火温度对薄膜形貌及成分影响 | 第58-61页 |
4.3.3 退火温度对薄膜电学性能的影响 | 第61-63页 |
4.4 本章小结 | 第63-64页 |
第5章 CZTSe功能器件制备及性能分析 | 第64-82页 |
5.1 引言 | 第64页 |
5.2 CZTSe薄膜电池制备及性能分析 | 第64-71页 |
5.2.1 溅射法制备CdS缓冲层 | 第65-67页 |
5.2.2 p-n结性能表征 | 第67-68页 |
5.2.3 CZTSe电池制备及表征 | 第68-71页 |
5.3 CZTSe忆阻器制备及性能分析 | 第71-80页 |
5.3.1 器件制备过程 | 第71-72页 |
5.3.2 器件表征结果 | 第72-74页 |
5.3.3 忆阻效应及负微分电阻效应共存机理分析 | 第74-80页 |
5.4 本章小结 | 第80-82页 |
结论与展望 | 第82-85页 |
1.工作总结 | 第82-83页 |
2.工作展望 | 第83-85页 |
致谢 | 第85-86页 |
参考文献 | 第86-95页 |
攻读硕士学位期间的学术成果 | 第95页 |