| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 研究的目的和意义 | 第11-12页 |
| 1.2 研究背景 | 第12-27页 |
| 1.2.1 半导体纳米线材料的合成 | 第12-13页 |
| 1.2.2 半导体纳米线的光学谐振腔性质和研究进展 | 第13-20页 |
| 1.2.3 半导体纳米线的半导体材料性质和研究进展 | 第20-22页 |
| 1.2.4 具有量子限域效应的半导体纳米线的性质和研究进展 | 第22-27页 |
| 2 带隙渐变的硫硒化镉纳米线的制备和光学表征 | 第27-33页 |
| 2.1 硫硒化镉纳米线的制备 | 第27-28页 |
| 2.2 样品表征 | 第28-33页 |
| 3 基于单根纳米带的半导体多色激光 | 第33-48页 |
| 3.1 带隙渐变的硫硒化镉纳米线荧光单向吸收特性及其带来的问题 | 第33-36页 |
| 3.2 纳米线里的光子局域 | 第36-42页 |
| 3.2.1 随机激光的光子局域 | 第36-39页 |
| 3.2.2 带隙渐变半导体纳米带的光子局域 | 第39-42页 |
| 3.3 实验操作和结果讨论 | 第42-48页 |
| 4 总结与展望 | 第48-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 硕士期间工作 | 第54页 |