| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第1章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 课题概述 | 第11-12页 |
| 1.2 课题研究背景 | 第12-13页 |
| 1.3 一维单原子纳米链研究 | 第13-14页 |
| 1.4 石墨烯纳米结构 | 第14-15页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 理论基础与计算方法 | 第17-30页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 理论基础 | 第17-20页 |
| 2.2.1 第一性原理的简介 | 第17-18页 |
| 2.2.2 密度泛函理论 | 第18-20页 |
| 2.3 半经验分子轨道法 | 第20-25页 |
| 2.4 电子结构 | 第25-28页 |
| 2.4.1 电子态密度（Density of States，DOS） | 第25-26页 |
| 2.4.2 能带理论 | 第26-27页 |
| 2.4.3 原子电荷算法（Mulliken方法） | 第27-28页 |
| 2.5 应变的概述 | 第28页 |
| 2.6 计算软件介绍 | 第28-30页 |
| 2.6.1 Vienna Ab-initio Simulation Package（VASP） | 第28-29页 |
| 2.6.2 MOPAC 7.0 | 第29-30页 |
| 第3章 拉伸或压缩行为对C、Si、P和S单原子链电荷分布的影响 | 第30-38页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 计算方法和模型 | 第31-33页 |
| 3.2.1 计算方法 | 第31-32页 |
| 3.2.2 计算模型 | 第32-33页 |
| 3.3 计算结果分析 | 第33-37页 |
| 3.3.1 力学性能 | 第33-34页 |
| 3.3.2 单轴应力行为作用下的电荷分布研究 | 第34-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 氟化度及单轴应变对石墨烯电子结构的影响 | 第38-50页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 计算方法和模型 | 第38-39页 |
| 4.3 计算结果分析 | 第39-48页 |
| 4.3.1 石墨烯氟化及氟化石墨烯稳定构型研究 | 第39-43页 |
| 4.3.2 氟化石墨烯（Chair）的电子性质研究 | 第43-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第59页 |
