| 目录 | 第3-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第9-25页 |
| 1.1 量子霍尔态 | 第9-12页 |
| 1.2 二维拓扑绝缘体 | 第12-14页 |
| 1.3 三维拓扑绝缘体 | 第14-20页 |
| 1.3.1 强弱拓扑绝缘体 | 第14-15页 |
| 1.3.2 第一个三维拓扑绝缘体：Bi_(1-x)Sb_x | 第15-18页 |
| 1.3.3 第二代材料：Bi_2Se_3,Bi_2Te_3和Sb_2Te_3 | 第18-20页 |
| 1.4 拓扑绝缘体的发展与展望 | 第20-25页 |
| 第二章 实验仪器和样品制备 | 第25-29页 |
| 2.1 实验仪器 | 第25-27页 |
| 2.2 样品制备 | 第27-29页 |
| 第三章 Cr掺杂Bi_xSb_yTe_3输运性质研究 | 第29-40页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 铁磁性 | 第29-32页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第32-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 Bi_2Se_3输运性质研究 | 第40-46页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 磁输运理论 | 第40-41页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第41-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 Fe掺杂Bi_2Se_3输运性质研究 | 第46-50页 |
| 5.1 引言 | 第46-47页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第47-48页 |
| 5.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 第六章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 6.1 工作总结 | 第50-51页 |
| 6.2 工作展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-62页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
