| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 SOI技术与SOI LIGBT的特点和发展 | 第11-21页 |
| 1.2 功率集成电路的特点及应用 | 第21-25页 |
| 1.3 本课题主要工作和创新点 | 第25-27页 |
| 第二章 SOI LIGBT器件阱复用技术 | 第27-53页 |
| 2.1 SOI LIGBT器件结构与耐压机理 | 第27-34页 |
| 2.2 SOI LIGBT器件阱复用技术 | 第34-41页 |
| 2.2.1 N-buffer与器件关态击穿电压的相关性 | 第34-37页 |
| 2.2.2 阱复用型SOI LIGBT器件耐压特性 | 第37-41页 |
| 2.3 阱复用型SOI LIGBT器件结构参数优化 | 第41-51页 |
| 2.3.1 SOI LIGBT器件关态特性 | 第41-46页 |
| 2.3.2 SOI LIGBT器件开态特性 | 第46-51页 |
| 2.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第三章 低谐波电流输出模式和矩阵式驱动电路 | 第53-77页 |
| 3.1 等离子行驱动电路设计 | 第53-55页 |
| 3.2 SOI LIGBT与低谐波电流输出模式 | 第55-66页 |
| 3.2.1 低谐波电流输出模式 | 第57-66页 |
| 3.2.2 EMI整改其他辅助措施 | 第66页 |
| 3.3 矩阵式驱动电路 | 第66-76页 |
| 3.3.1 线性高压驱动模式 | 第67-73页 |
| 3.3.2 矩阵高压驱动模式 | 第73-76页 |
| 3.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 第四章 SOI LIGBT器件工艺与驱动电路认证实验与分析 | 第77-98页 |
| 4.1 SOI LIGBT工艺和容差设计 | 第77-85页 |
| 4.2 SOI LIGBT耐压蠕变 | 第85-88页 |
| 4.3 器件与电路测试与认证实验分析 | 第88-97页 |
| 4.4 本章小结 | 第97-98页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第98-100页 |
| 5.1 全文总结 | 第98-99页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-109页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第109-110页 |
