| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-26页 |
| 1.1. 真空不空——电磁场零点能 | 第13-16页 |
| 1.2. 真空电磁场的可观测效应 | 第16-21页 |
| 1.2.1. 自发辐射 | 第16-17页 |
| 1.2.2. 卡西米尔效应(Casimir effect) | 第17-19页 |
| 1.2.3. 卡西米尔-波耳德势(Casimir-Polder potential)和范德瓦尔斯势(van der Waals potential) | 第19-20页 |
| 1.2.4. 共振相互作用 | 第20-21页 |
| 1.3. 纳米技术 | 第21-22页 |
| 1.4. 集成光学、原子芯片技术与量子调控 | 第22页 |
| 1.5. 表面附近的共振相互作用 | 第22-23页 |
| 1.6. 排斥性卡西米尔相互作用和卡西米尔-波耳德相互作用 | 第23-24页 |
| 1.7. 本文的安排 | 第24-26页 |
| 第二章 原子位于材料表面附近时的共振相互作用 | 第26-50页 |
| 2.1. 原子对-真空电磁场相互作用的动力学分析 | 第26-33页 |
| 2.2. 原子之间的共振相互作用能量与原子-材料表面共振卡西米尔-波耳德相互作用能量 | 第33-34页 |
| 2.3. 电磁场模式函数与归一化常数的确定——电磁场的量子化 | 第34-38页 |
| 2.4. 材料表面对原子间共振相互作用的调控 | 第38-49页 |
| 2.4.1. 镜面反射 | 第39-45页 |
| 2.4.2. 漫反射 | 第45-49页 |
| 2.5. 本章小结 | 第49-50页 |
| 第三章 介电材料平面调控的原子间共振相互作用 | 第50-76页 |
| 3.1. 电磁波在介电平面上的反射 | 第50-52页 |
| 3.2. 介电平面对其附近原子对的影响 | 第52-64页 |
| 3.2.1. 介电平面与单原子之间的相互作用 | 第52-58页 |
| 3.2.2. 介电平面对二原子集体行为的影响 | 第58-64页 |
| 3.3. 近表面效应 | 第64-71页 |
| 3.4. 介电常数趋近于无穷大的情况——金属极限 | 第71-74页 |
| 3.5. 本章小结 | 第74-76页 |
| 第四章 亚波长纳米圆柱阵列调控的原子间共振相互作用 | 第76-97页 |
| 4.1. 电磁波在单个圆柱形材料上的散射 | 第76-82页 |
| 4.2. 电磁波在纳米柱阵列上的散射——位移加法定理 | 第82-85页 |
| 4.3. 纳米柱阵列附近的真空电磁场的量子化 | 第85-87页 |
| 4.4. 纳米圆柱阵列调控的原子间共振相互作用 | 第87-95页 |
| 4.4.1. 纳米圆柱阵列对单个原子的影响 | 第87-89页 |
| 4.4.2. 纳米圆柱阵列对二原子集体行为的影响 | 第89-90页 |
| 4.4.3. 利用纳米圆柱阵列调控原子之间相互作用 | 第90-95页 |
| 4.5. 本章小结 | 第95-97页 |
| 第五章 负反射性表面调控的卡西米尔-波尔德相互作用 | 第97-116页 |
| 5.1. 基态原子与材料表面之间相互作用的动力学分析 | 第98-102页 |
| 5.2. 理想负反射情况下的原子基态能级移动与卡西米尔-波耳德(Casimir-Polder)相互作用势 | 第102-109页 |
| 5.3. 产生排斥性卡西米尔-波耳德相互作用势所需要的条件 | 第109-110页 |
| 5.4. 对结果的讨论和分析 | 第110-114页 |
| 5.5. 本章小结 | 第114-116页 |
| 第六章 总结与展望 | 第116-118页 |
| 参考文献 | 第118-129页 |
| 附录A 自由空间中的单原子自发辐射率与真空兰姆位移 | 第129-136页 |
| 附录B 自由空间中二原子的集体自发辐射率和真空兰姆位移 | 第136-142页 |
| 附录C 第二章2.4节中的柯西主值积分 | 第142-145页 |
| 附录D 第三章3.2.1小节中的柯西主值积分 | 第145-150页 |
| 附录E 第三章3.2.2小节中的柯西主值积分 | 第150-153页 |
| 附录F 本文中所使用的符号和标记 | 第153-154页 |
| 后记与致谢 | 第154-155页 |
| 博士研究生期间的研究成果与发表论文 | 第155-156页 |
| 作者简介 | 第156页 |
