| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 创新点摘要 | 第7-10页 |
| 前言 | 第10-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-24页 |
| 1.1 光催化 | 第11-22页 |
| 1.1.1 光催化技术简介 | 第11页 |
| 1.1.2 半导体光催化机理 | 第11-13页 |
| 1.1.3 半导体光催化剂活性的决定因素 | 第13-15页 |
| 1.1.4 半导体催化技术存在的问题 | 第15页 |
| 1.1.5 提高半导体光催化活性的方法 | 第15-17页 |
| 1.1.6 钨酸铋的结构和改性 | 第17-18页 |
| 1.1.7 石墨烯的研究现状 | 第18-22页 |
| 1.2 选题的目的、意义和研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 实验部分 | 第24-31页 |
| 2.1 实验试剂与仪器 | 第24-25页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第24页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第24-25页 |
| 2.2 催化剂的制备与表征 | 第25-31页 |
| 2.2.1 催化剂的制备 | 第25-27页 |
| 2.2.2 光催化剂的表征 | 第27-29页 |
| 2.2.3 光催化活性评价 | 第29-31页 |
| 第三章 RGO/Bi_2WO_6复合材料的表征和评价 | 第31-48页 |
| 3.1 氧化石墨烯的物性分析 | 第31-33页 |
| 3.1.1 XRD分析 | 第31-32页 |
| 3.1.2 FTIR分析 | 第32-33页 |
| 3.1.3 SEM分析 | 第33页 |
| 3.2 制备方法对催化剂晶型和形貌的影响 | 第33-35页 |
| 3.2.1 制备方法对催化剂晶型的影响 | 第33-34页 |
| 3.2.2 制备方法对催化剂外貌的影响 | 第34-35页 |
| 3.3 微波时间对催化剂制备的影响 | 第35-36页 |
| 3.4 RGO对催化剂晶相和形貌的影响 | 第36-38页 |
| 3.4.1 RGO对催化剂晶型的的影响 | 第36-37页 |
| 3.4.2 RGO对催化剂形貌的影响 | 第37-38页 |
| 3.5 催化剂的红外光谱分析 | 第38-39页 |
| 3.6 催化剂的比表面积及孔径分布 | 第39-40页 |
| 3.7 催化剂光激发活性分析 | 第40-41页 |
| 3.8 RGO/Bi_2WO_6催化剂光催化活性增强机理 | 第41-42页 |
| 3.9 催化剂的吸附性能研究 | 第42-43页 |
| 3.10 RGO/Bi_2WO_6光催化剂的脱氮性能评价 | 第43-46页 |
| 3.10.1 光催化反应时间对光催化活性的影响 | 第43页 |
| 3.10.2 RGO掺杂量对光催化剂活性的影响 | 第43-44页 |
| 3.10.3 催化剂的投加量对光催化脱氮性能的影响 | 第44-45页 |
| 3.10.4 O_2对催化剂脱氮性能的影响 | 第45页 |
| 3.10.5 循环使用次数对催化剂脱氮性能的影响 | 第45-46页 |
| 3.11 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 M-RGO/Bi_2WO_6三元复合催化剂的制备及光催化性能研究 | 第48-59页 |
| 4.1 Ag-RGO/Bi_2WO_6的表征分析 | 第48-51页 |
| 4.1.1 制备方法对催化剂晶相的影响 | 第48-49页 |
| 4.1.2 制备方法对催化剂外貌的影响 | 第49-50页 |
| 4.1.3 Ag负载量对催化剂晶相的影响 | 第50-51页 |
| 4.2 Cu负载量对催化剂晶相及形貌的影响 | 第51-52页 |
| 4.3 三元复合催化剂的UV-vis分析 | 第52-53页 |
| 4.4 三元复合催化剂活性增强机制 | 第53页 |
| 4.5 光催化活性的评价 | 第53-57页 |
| 4.5.1 光催化时间对Ag-RGO/Bi_2WO_6脱氮性能的影响 | 第53-54页 |
| 4.5.2 Ag掺杂量对Ag-RGO/Bi_2WO_6脱氮性能的影响 | 第54-55页 |
| 4.5.3 O_2对Ag-RGO/Bi_2WO_6脱氮性能的影响 | 第55页 |
| 4.5.4 光催化时间Cu-RGO/Bi_2WO_6脱氮性能的影响 | 第55-56页 |
| 4.5.5 Cu掺杂量对Cu-RGO/Bi_2WO_6脱氮性能的影响 | 第56-57页 |
| 4.5.6 O_2对Cu-RGO/Bi_2WO_6脱氮性能的影响 | 第57页 |
| 4.6 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-70页 |
| 发表文章目录 | 第70-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
