| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 四针状ZnO概述 | 第8-13页 |
| 1.1.1 T-ZnO纳米结构的特性 | 第8-10页 |
| 1.1.2 T-ZnO制备方法 | 第10-12页 |
| 1.1.3 T-ZnO的生长机理 | 第12-13页 |
| 1.2 T-ZnO的应用 | 第13-16页 |
| 1.3 场发射理论 | 第16-18页 |
| 1.4 金属掺杂T-ZnO纳米结构的研究进展 | 第18-19页 |
| 1.5 本课题研究内容 | 第19-21页 |
| 1.5.1 本课题研究重点及意义 | 第19-20页 |
| 1.5.2 本课题主要内容 | 第20-21页 |
| 第二章 实验及表征方法 | 第21-32页 |
| 2.1 实验原料及试剂 | 第21-22页 |
| 2.2 实验方法 | 第22-26页 |
| 2.2.1 热蒸发制备四针状氧化锌原理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 原子层沉积 | 第23-26页 |
| 2.3 分析表征手段 | 第26-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 Sn掺杂四针状ZnO纳米材料的制备及场发射性能研究 | 第32-47页 |
| 3.1 生长温度对T-ZnO形貌及其场发射性能的影响 | 第32-37页 |
| 3.1.1 样品制备 | 第32-33页 |
| 3.1.2 形貌表征 | 第33-34页 |
| 3.1.3 微观结构分析 | 第34-35页 |
| 3.1.4 发光性能分析 | 第35页 |
| 3.1.5 场发射性能测试 | 第35-37页 |
| 3.2 Sn掺杂浓度对T-ZnO纳米材料场发射性能的影响 | 第37-45页 |
| 3.2.1 Sn掺杂浓度对T-ZnO纳米材料微观形貌的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.2 Sn掺杂浓度对T-ZnO纳米材料微观结构的影响 | 第39-41页 |
| 3.2.3 Sn掺杂T-ZnO纳米材料的荧光特性分析 | 第41-42页 |
| 3.2.4 Sn掺杂浓度对T-ZnO纳米材料场发射性能的影响 | 第42-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 晶须长径比对Sn掺杂四针状ZnO纳米材料场发射性能的影响 | 第47-54页 |
| 4.1 样品制备 | 第47页 |
| 4.2 生长时间对Sn掺杂T-ZnO纳米材料微观形貌的影响 | 第47-48页 |
| 4.3 生长时间对Sn掺杂T-ZnO纳米材料微结构的影响 | 第48-50页 |
| 4.4 长径比对Sn掺杂T-ZnO纳米材料场发射性能的影响 | 第50-52页 |
| 4.5 Sn掺杂T-ZnO纳米材料的生长机理探讨 | 第52-53页 |
| 4.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 四针状Al_2O_3/ZnO复合纳米材料的制备及光电性能研究 | 第54-65页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 样品制备 | 第54-55页 |
| 5.3 四针状Al_2O_3/ZnO复合纳米材料的微观形貌 | 第55-56页 |
| 5.4 四针状Al_2O_3/ZnO复合纳米材料的微结构分析 | 第56-58页 |
| 5.5 四针状Al_2O_3/ZnO复合纳米材料的光致发光特性 | 第58页 |
| 5.6 四针状Al_2O_3/ZnO复合纳米材料的场发射特性 | 第58-60页 |
| 5.7 热退火处理对Al_2O_3/ZnO复合纳米材料的影响 | 第60-64页 |
| 5.7.1 热退火对Al_2O_3/ZnO复合纳米材料形貌和微结构的影响 | 第60-62页 |
| 5.7.2 热退火对Al_2O_3/ZnO复合纳米材料场发射性能的影响 | 第62-64页 |
| 5.8 本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 个人简历 | 第75-76页 |
| 攻读硕士期间的研究成果及发表的学术论文 | 第76页 |
