| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 金刚石的性质及应用 | 第11-13页 |
| 1.1.1 金刚石的性质 | 第11-12页 |
| 1.1.2 CVD金刚石膜的应用 | 第12-13页 |
| 1.2 金刚石膜的制备方法 | 第13-16页 |
| 1.2.1 热丝CVD法 | 第14页 |
| 1.2.2 燃烧火焰CVD法 | 第14-15页 |
| 1.2.3 直流电弧等离子体喷射CVD法 | 第15-16页 |
| 1.2.4 微波等离子体CVD法 | 第16页 |
| 1.3 CVD沉积金刚石膜中的等离子体诊断分析 | 第16-19页 |
| 1.4 高沉积气压下制备金刚石的现状 | 第19-21页 |
| 1.5 本工作的主要意义及内容 | 第21-23页 |
| 第2章 实验装置与表征方法 | 第23-29页 |
| 2.1 实验装置 | 第23-26页 |
| 2.1.1 金刚石膜沉积装置 | 第23-24页 |
| 2.1.2 等离子体发射光谱诊断实验装置 | 第24-25页 |
| 2.1.3 金刚石膜激光切割及机械抛光装置 | 第25-26页 |
| 2.2 CVD多晶金刚石膜的表征 | 第26-29页 |
| 2.2.1 激光Raman光谱 | 第26-27页 |
| 2.2.2 金相显微镜及扫描电子显微镜 | 第27-29页 |
| 第3章 CH_4/H_2等离子体沉积多晶金刚石膜的研究 | 第29-41页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 沉积气压对多晶金刚石膜制备的影响 | 第29-35页 |
| 3.3 CH_4浓度对多晶金刚石膜制备的影响 | 第35-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第4章 掺氧对高质量多晶金刚石膜制备的影响 | 第41-47页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 CH_4/H_2/O_2等离子体发射光谱的诊断 | 第41-43页 |
| 4.3 O_2浓度对金刚石膜沉积质量及速率的影响 | 第43-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第5章 掺Ar对高速沉积多晶金刚石膜的影响 | 第47-57页 |
| 5.1 引言 | 第47-48页 |
| 5.2 CH_4/H_2等离子体中掺Ar对金刚石膜沉积的影响 | 第48-52页 |
| 5.3 CH_4/H_2/O_2等离子体中掺Ar对金刚石膜沉积的影响 | 第52-54页 |
| 5.4 本章小节 | 第54-57页 |
| 第6章 总结与展望 | 第57-61页 |
| 6.1 论文总结 | 第57-58页 |
| 6.2 论文展望 | 第58-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读硕士期间已发表的论文 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
