| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第9页 |
| 1.2 SIC器件的电磁干扰 | 第9-14页 |
| 1.2.1 噪声特性 | 第9-11页 |
| 1.2.2 并网逆变器EMI建模 | 第11-14页 |
| 1.3 SiC并网逆变技术的综述 | 第14-18页 |
| 1.3.1 SiC MOSFET器件 | 第14-15页 |
| 1.3.2 SiC器件对逆变器效率的影响 | 第15-17页 |
| 1.3.3 功率密度的提升 | 第17-18页 |
| 1.4 本文的研究工作 | 第18-19页 |
| 第2章 SIC三相并网逆变器的EMC模型研究 | 第19-36页 |
| 2.1 SiC三相并网逆变器模型的建立 | 第19-30页 |
| 2.1.1 关键寄生参数的提取 | 第19-26页 |
| 2.1.2 传导共模噪声源的模型 | 第26-28页 |
| 2.1.3 传导路径的影响 | 第28-30页 |
| 2.2 传导共模噪声的比较 | 第30-34页 |
| 2.2.1 逆变器损耗对EMI噪声影响的等效 | 第30-32页 |
| 2.2.2 EMC模型共模电压与实验结果的比较 | 第32-33页 |
| 2.2.3 SiIGBT逆变器与SiC逆变器共模噪声的比较 | 第33-34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-36页 |
| 第3章 并网逆变器效率分析 | 第36-65页 |
| 3.1 SiC逆变器理论效率分析 | 第36-46页 |
| 3.1.1 沟道栅SiC器件与平面栅SiC器件的特性比较 | 第36-37页 |
| 3.1.2 沟道栅SiC器件与平面栅SiC器件驱动电阻的选择 | 第37-38页 |
| 3.1.3 沟道栅SiC逆变器与平面栅SiC逆变器的电气参数 | 第38-39页 |
| 3.1.4 沟道栅SiC逆变器与平面栅SiC逆变器理论效率对比(25℃结温) | 第39-42页 |
| 3.1.5 沟道栅SiC逆变器与平面栅SiC逆变器理论效率对比(175℃结温) | 第42-46页 |
| 3.2 SiC逆变器与SI IGBT逆变器理论效率对比 | 第46-48页 |
| 3.3 逆变器实验平台介绍 | 第48-52页 |
| 3.3.1 逆变器平台硬件简介 | 第48-50页 |
| 3.3.2 逆变器控制参数设计 | 第50-52页 |
| 3.4 逆变器效率实验测试 | 第52-64页 |
| 3.4.1 沟道栅SiC逆变器实验效率 | 第53-55页 |
| 3.4.2 平面栅SiC逆变器实验效率 | 第55-58页 |
| 3.4.3 SiIGBT逆变器实验效率 | 第58-59页 |
| 3.4.4 沟道栅SiC逆变器和平面栅SiC逆变器效率实验对比 | 第59-63页 |
| 3.4.5 SiC逆变器与SiIGBT逆变器实验效率的对比 | 第63-64页 |
| 3.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第4章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 4.1 本文工作总结 | 第65页 |
| 4.2 未来工作展望 | 第65-67页 |
| 附录A: 网络频谱仪测量元件阻抗 | 第67-70页 |
| 附录B: 滤波电感的计算 | 第70-72页 |
| 附录C: 两电平逆变器损耗模型 | 第72-79页 |
| 参考文献 | 第79-84页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第84页 |
