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薄片式半导体倍频激光器特性研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第1章 绪论第9-15页
   ·课题研究背景及意义第9-11页
   ·薄片式半导体倍频激光器国内外研究进展及应用第11-14页
     ·薄片式半导体激光器的研究历史第11-12页
     ·薄片式半导体倍频激光器研究进展第12-13页
     ·薄片式半导体倍频激光器的主要应用第13-14页
   ·论文主要研究内容第14-15页
第2章 倍频理论及晶体特性研究第15-37页
   ·倍频理论第15-19页
     ·倍频理论概述第15-16页
     ·耦合波方程第16-19页
   ·倍频效应第19-20页
   ·非线性晶体的选择第20-21页
   ·倍频晶体相位匹配角及有效非线性系数计算第21-35页
     ·单轴晶体相位匹配角及有效非线性系数计算第22-23页
     ·双轴晶体相位匹配角计算方法第23-29页
     ·LBO 晶体Ⅰ类相位匹配第29-31页
     ·KTP 晶体Ⅱ类相位匹配第31-33页
     ·KN 晶体Ⅰ类角度相位匹配第33-35页
   ·本章小结第35-37页
第3章:薄片式半导体倍频激光器实验研究第37-51页
   ·量子阱半导体芯片的结构及工作原理第37-41页
     ·半导体增益芯片的能带结构及工作原理第37-38页
     ·量子阱半导体芯片的结构第38-41页
   ·半导体薄片式倍频激光器腔型设计第41-43页
     ·直腔腔型设计第41页
     ·折叠腔腔型设计第41-43页
   ·实验结果及讨论第43-45页
     ·直腔实验实物图第44-45页
     ·折叠腔实验实物图第45页
   ·实验结果分析第45-48页
     ·LBO 晶体的输出特性第45-46页
     ·在直腔中KTP 和 KN 作为倍频晶体时的激光输出特性第46-47页
     ·倍频光光斑的光束质量第47-48页
   ·本章小结第48-51页
第4章 半导体增益芯片的热管理第51-57页
   ·基质刻蚀法第51-54页
   ·散热窗口绑定法第54-55页
   ·本章小结第55-57页
结论第57-59页
参考文献第59-65页
附录第65-69页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第69-71页
致谢第71-72页

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