| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 课题的研究意义及背景 | 第12-13页 |
| 1.2 石墨烯的结构与性能 | 第13-16页 |
| 1.2.1 石墨烯的结构 | 第13-15页 |
| 1.2.2 石墨烯的性能 | 第15-16页 |
| 1.3 石墨烯的制备方法 | 第16-21页 |
| 1.3.1 机械剥离法 | 第17页 |
| 1.3.2 SiC外延生长法 | 第17-18页 |
| 1.3.3 氧化还原法 | 第18-19页 |
| 1.3.4 化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| 1.3.5 电弧放电法 | 第20页 |
| 1.3.6 超声分散法 | 第20-21页 |
| 1.4 CVD法制备石墨烯薄膜的研究现状 | 第21-25页 |
| 1.4.1 铜基底石墨烯形核与生长的影响因素研究现状 | 第21-23页 |
| 1.4.2 石墨烯薄膜性能影响因素的研究现状 | 第23-25页 |
| 1.5 课题研究内容与创新点 | 第25-28页 |
| 1.5.1 课题的研究内容 | 第25-26页 |
| 1.5.2 课题的创新点 | 第26-28页 |
| 第二章 实验设备、材料及分析表征方法 | 第28-40页 |
| 引言 | 第28页 |
| 2.1 实验设备与材料 | 第28-30页 |
| 2.1.1 实验设备 | 第28-30页 |
| 2.1.2 实验材料 | 第30页 |
| 2.2 CVD法制备石墨烯流程 | 第30-32页 |
| 2.2.1 基底清洗 | 第30-31页 |
| 2.2.2 石墨烯的CVD生长过程 | 第31页 |
| 2.2.3 石墨烯转移 | 第31-32页 |
| 2.3 表征方法 | 第32-40页 |
| 2.3.1 光学显微镜（OM） | 第32-33页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第33-34页 |
| 2.3.3 拉曼光谱仪（Raman） | 第34-37页 |
| 2.3.4 紫外-可见分光光度计（UV-VIS） | 第37-38页 |
| 2.3.5 四探针方阻测试仪 | 第38-40页 |
| 第三章 工作气体对石墨烯薄膜生长和性能的影响 | 第40-50页 |
| 引言 | 第40页 |
| 3.1 实验方法 | 第40-41页 |
| 3.2 实验结果与分析 | 第41-49页 |
| 3.2.1 铜箔表面SEM及EDS表征结果与分析 | 第41-44页 |
| 3.2.2 拉曼光谱表征结果与分析 | 第44-46页 |
| 3.2.3 石墨烯光电性能表征 | 第46-47页 |
| 3.2.4 工作气体对APCVD石墨烯生长的影响 | 第47-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 基底热处理对石墨烯薄膜性能的影响 | 第50-65页 |
| 引言 | 第50页 |
| 4.1 实验方法 | 第50-51页 |
| 4.2 铜箔 700℃不同时间退火热处理对石墨烯薄膜性能的影响 | 第51-55页 |
| 4.2.1 铜箔退火热处理表征 | 第51-53页 |
| 4.2.2 铜箔退火后生长石墨烯薄膜的表征 | 第53-55页 |
| 4.3 铜箔不同退火温度热处理对石墨烯薄膜性能的影响 | 第55-60页 |
| 4.3.1 铜箔退火热处理表征 | 第56-58页 |
| 4.3.2 铜箔退火后生长石墨烯薄膜的表征 | 第58-60页 |
| 4.4 铜箔热处理对石墨烯薄膜性能影响分析 | 第60-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 石墨烯形核密度控制的探索 | 第65-80页 |
| 引言 | 第65页 |
| 5.1 大甲烷流量不同生长时间对石墨烯生长的影响（两步法） | 第65-68页 |
| 5.1.1 实验过程 | 第65-66页 |
| 5.1.2 实验结果与分析 | 第66-68页 |
| 5.2 不同碳源流量形核密度的探索 | 第68-73页 |
| 5.2.1 实验过程 | 第68-70页 |
| 5.2.2 实验结果与分析 | 第70-73页 |
| 5.3 人工―种子‖法制备石墨烯的探索 | 第73-79页 |
| 5.3.1 实验过程 | 第73-74页 |
| 5.3.2 实验结果与分析 | 第74-75页 |
| 5.3.3 改进实验过程 | 第75-76页 |
| 5.3.4 改进后实验结果与分析 | 第76-79页 |
| 5.4 本章小节 | 第79-80页 |
| 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-89页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 附件 | 第91页 |
