| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-40页 |
| 1.1 半导体材料简介 | 第11-17页 |
| 1.1.1 半导体材料 | 第11-13页 |
| 1.1.2 半导体材料中的状态密度和载流子分布 | 第13-15页 |
| 1.1.3 半导体材料的光电效应及其应用 | 第15-17页 |
| 1.2 光电材料制备方法 | 第17-19页 |
| 1.2.1 水热法 | 第17页 |
| 1.2.2 溶胶凝胶法 | 第17-18页 |
| 1.2.3 磁控溅射法 | 第18页 |
| 1.2.4 化学沉淀法 | 第18页 |
| 1.2.5 电化学沉积法 | 第18-19页 |
| 1.3 光电材料结构表征方法 | 第19-20页 |
| 1.3.1 X射线衍射(XRD) | 第19页 |
| 1.3.2 场发射扫描电镜(SEM) | 第19-20页 |
| 1.3.3 能谱元素分析(EDS) | 第20页 |
| 1.3.4 X射线光电子能谱分析(XPS) | 第20页 |
| 1.3.5 紫外吸收光谱 | 第20页 |
| 1.4 Cu_2O光电材料概述 | 第20-26页 |
| 1.4.1 Cu_2O的结构与性质 | 第20-22页 |
| 1.4.2 Cu_2O的合成方法 | 第22-24页 |
| 1.4.3 Cu_2O现存的问题 | 第24-26页 |
| 1.5 CuO半导体 | 第26-30页 |
| 1.5.1 CuO半导体简介 | 第26-27页 |
| 1.5.2 CuO制备方法研究现状 | 第27-30页 |
| 1.6 本论文选题思想和主要内容: | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-40页 |
| 第二章 Cu_2O上修饰一层CuI的复合光电极的光电化学性能研究 | 第40-62页 |
| 2.1 引言 | 第40页 |
| 2.2 实验部分 | 第40-42页 |
| 2.2.1 实验试剂和仪器 | 第40-41页 |
| 2.2.2 实验操作 | 第41-42页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第42-56页 |
| 2.3.1 Cu_2O/CuI复合光电极的结构表征 | 第42-49页 |
| 2.3.2 Cu_2O/CuI复合光电极的光电性能表征 | 第49-56页 |
| 2.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 第三章 电沉积制备CuO电极及其光电性能研究 | 第62-83页 |
| 3.1 引言 | 第62-63页 |
| 3.2 实验部分 | 第63-64页 |
| 3.2.1 实验试剂和仪器 | 第63页 |
| 3.2.2 实验操作 | 第63-64页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第64-77页 |
| 3.3.1 CuO电沉积机理讨论 | 第64-69页 |
| 3.3.2 CuO电极的结构及性能表征 | 第69-77页 |
| 3.4 本章小结 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 第四章 总结与展望 | 第83-86页 |
| 4.1 总结 | 第83-85页 |
| 4.2 展望 | 第85-86页 |
| 附录Ⅰ: 硕士期间发表的文章 | 第86-87页 |
| 附录Ⅱ: 致谢 | 第87页 |
