中文摘要 | 第3-4页 |
英文摘要 | 第4-5页 |
1 绪论 | 第9-29页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 石墨烯的概述 | 第9-18页 |
1.2.1 石墨烯的发展历程 | 第9-11页 |
1.2.2 石墨烯的性质 | 第11-15页 |
1.2.3 石墨烯制备方法 | 第15-18页 |
1.3 石墨烯光电探测器概述 | 第18-25页 |
1.3.1 石墨烯光电探测器应用前景 | 第18页 |
1.3.2 石墨烯光电探测器的研究现状 | 第18-19页 |
1.3.3 光电探测器的物理机制 | 第19-20页 |
1.3.4 基于石墨烯的光电探测器器件结构 | 第20-25页 |
1.4 光电探测器特性参数 | 第25-26页 |
1.5 本论文研究目标与内容 | 第26-29页 |
1.5.1 论文的研究目标 | 第26页 |
1.5.2 论文研究内容与章节安排 | 第26-29页 |
2 石墨烯薄膜的制备、转移与表征 | 第29-43页 |
2.1 实验所需材料 | 第29页 |
2.2 实验所需设备 | 第29-31页 |
2.3 石墨烯薄膜的制备及转移 | 第31-36页 |
2.3.1 化学气相沉积法在铜箔上生长石墨烯的原理 | 第31-32页 |
2.3.2 化学气相沉积法生长石墨烯薄膜的工艺研究 | 第32-33页 |
2.3.3 石墨烯的转移工艺的研究 | 第33-36页 |
2.4 石墨烯薄膜的表征 | 第36-41页 |
2.4.1 光学显微镜分析 | 第36-38页 |
2.4.2 原子力显微表征 | 第38-39页 |
2.4.3 扫描电子显微镜表征 | 第39页 |
2.4.4 拉曼光谱表征 | 第39-40页 |
2.4.5 方阻表征 | 第40-41页 |
2.5 本章小结 | 第41-43页 |
3 背栅石墨烯场效应结构器件制备工艺与特性研究 | 第43-55页 |
3.1 石墨烯场效应结构器件的制备流程 | 第43-44页 |
3.2 实验所需材料 | 第44页 |
3.3 实验所需设备 | 第44-45页 |
3.4 光刻电极工艺研究 | 第45-50页 |
3.5 石墨烯薄膜的图形化工艺研究 | 第50-54页 |
3.6 本章小结 | 第54-55页 |
4 石墨烯场效应结构器件的光电学特性研究 | 第55-69页 |
4.1 测试设备和测试条件 | 第55-56页 |
4.2 石墨烯场效应结构器件的电学性能研究 | 第56-59页 |
4.2.1 石墨烯的电阻特性研究 | 第56-57页 |
4.2.2 双极型转移特性曲线 | 第57-59页 |
4.3 改善石墨烯的电学性能研究 | 第59-64页 |
4.3.1 对石墨烯电学性能的影响因素 | 第59-60页 |
4.3.2 PMMA浓度对石墨烯电学性能的影响 | 第60-61页 |
4.3.3 退火温度对石墨烯电学性能的影响 | 第61-62页 |
4.3.4 甲酰胺对石墨烯电学性能的影响 | 第62-63页 |
4.3.5 氨水对石墨烯电学性能的影响 | 第63-64页 |
4.4 石墨烯场效应结构器件的光学特性研究 | 第64-66页 |
4.4.1 器件的光学特性测试 | 第64-66页 |
4.4.2 温度对石墨烯光学性能的影响 | 第66页 |
4.5 本章小结 | 第66-69页 |
5 石墨烯/量子点复合光电探测器的制备及性能研究 | 第69-87页 |
5.1 引言 | 第69页 |
5.2 实验材料和设备 | 第69-70页 |
5.2.1 实验材料 | 第69-70页 |
5.2.2 所需实验设备 | 第70页 |
5.3 石墨烯/硫化铅量子点复合光电探测器的结构 | 第70-71页 |
5.4 石墨烯/硫化铅量子点复合光电探测器的制备流程 | 第71-73页 |
5.5 石墨烯/硫化铅量子点复合光电探测器的表征及性能测试 | 第73-76页 |
5.5.1 AFM形貌表征 | 第73-74页 |
5.5.2 SEM和TEM形貌表征 | 第74-76页 |
5.5.3 UV-Vis吸收光谱表征 | 第76页 |
5.6 器件的光电性能 | 第76-86页 |
5.6.1 器件的I-V特性 | 第76-79页 |
5.6.2 器件工作机理 | 第79-83页 |
5.6.3 器件的I-T特性 | 第83-86页 |
5.7 本章小结 | 第86-87页 |
6 结论与展望 | 第87-89页 |
6.1 结论 | 第87-88页 |
6.2 展望 | 第88-89页 |
致谢 | 第89-91页 |
参考文献 | 第91-96页 |