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石墨烯基复合材料光电探测器研究

中文摘要第3-4页
英文摘要第4-5页
1 绪论第9-29页
    1.1 引言第9页
    1.2 石墨烯的概述第9-18页
        1.2.1 石墨烯的发展历程第9-11页
        1.2.2 石墨烯的性质第11-15页
        1.2.3 石墨烯制备方法第15-18页
    1.3 石墨烯光电探测器概述第18-25页
        1.3.1 石墨烯光电探测器应用前景第18页
        1.3.2 石墨烯光电探测器的研究现状第18-19页
        1.3.3 光电探测器的物理机制第19-20页
        1.3.4 基于石墨烯的光电探测器器件结构第20-25页
    1.4 光电探测器特性参数第25-26页
    1.5 本论文研究目标与内容第26-29页
        1.5.1 论文的研究目标第26页
        1.5.2 论文研究内容与章节安排第26-29页
2 石墨烯薄膜的制备、转移与表征第29-43页
    2.1 实验所需材料第29页
    2.2 实验所需设备第29-31页
    2.3 石墨烯薄膜的制备及转移第31-36页
        2.3.1 化学气相沉积法在铜箔上生长石墨烯的原理第31-32页
        2.3.2 化学气相沉积法生长石墨烯薄膜的工艺研究第32-33页
        2.3.3 石墨烯的转移工艺的研究第33-36页
    2.4 石墨烯薄膜的表征第36-41页
        2.4.1 光学显微镜分析第36-38页
        2.4.2 原子力显微表征第38-39页
        2.4.3 扫描电子显微镜表征第39页
        2.4.4 拉曼光谱表征第39-40页
        2.4.5 方阻表征第40-41页
    2.5 本章小结第41-43页
3 背栅石墨烯场效应结构器件制备工艺与特性研究第43-55页
    3.1 石墨烯场效应结构器件的制备流程第43-44页
    3.2 实验所需材料第44页
    3.3 实验所需设备第44-45页
    3.4 光刻电极工艺研究第45-50页
    3.5 石墨烯薄膜的图形化工艺研究第50-54页
    3.6 本章小结第54-55页
4 石墨烯场效应结构器件的光电学特性研究第55-69页
    4.1 测试设备和测试条件第55-56页
    4.2 石墨烯场效应结构器件的电学性能研究第56-59页
        4.2.1 石墨烯的电阻特性研究第56-57页
        4.2.2 双极型转移特性曲线第57-59页
    4.3 改善石墨烯的电学性能研究第59-64页
        4.3.1 对石墨烯电学性能的影响因素第59-60页
        4.3.2 PMMA浓度对石墨烯电学性能的影响第60-61页
        4.3.3 退火温度对石墨烯电学性能的影响第61-62页
        4.3.4 甲酰胺对石墨烯电学性能的影响第62-63页
        4.3.5 氨水对石墨烯电学性能的影响第63-64页
    4.4 石墨烯场效应结构器件的光学特性研究第64-66页
        4.4.1 器件的光学特性测试第64-66页
        4.4.2 温度对石墨烯光学性能的影响第66页
    4.5 本章小结第66-69页
5 石墨烯/量子点复合光电探测器的制备及性能研究第69-87页
    5.1 引言第69页
    5.2 实验材料和设备第69-70页
        5.2.1 实验材料第69-70页
        5.2.2 所需实验设备第70页
    5.3 石墨烯/硫化铅量子点复合光电探测器的结构第70-71页
    5.4 石墨烯/硫化铅量子点复合光电探测器的制备流程第71-73页
    5.5 石墨烯/硫化铅量子点复合光电探测器的表征及性能测试第73-76页
        5.5.1 AFM形貌表征第73-74页
        5.5.2 SEM和TEM形貌表征第74-76页
        5.5.3 UV-Vis吸收光谱表征第76页
    5.6 器件的光电性能第76-86页
        5.6.1 器件的I-V特性第76-79页
        5.6.2 器件工作机理第79-83页
        5.6.3 器件的I-T特性第83-86页
    5.7 本章小结第86-87页
6 结论与展望第87-89页
    6.1 结论第87-88页
    6.2 展望第88-89页
致谢第89-91页
参考文献第91-96页

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