| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-37页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 热电现象的三个基本效应 | 第11-14页 |
| 1.2.1 塞贝克效应 | 第11-12页 |
| 1.2.2 帕尔贴效应 | 第12-13页 |
| 1.2.3 汤姆逊效应 | 第13-14页 |
| 1.2.4 三种效应之间的关系 | 第14页 |
| 1.3 表征热电材料的基本参数 | 第14-18页 |
| 1.3.1 热电优值与热电转换效率 | 第14-15页 |
| 1.3.2 决定ZT值的输运参数 | 第15-18页 |
| 1.4 优化热电性质的途径 | 第18-24页 |
| 1.4.1 降低晶格热导率 | 第18-20页 |
| 1.4.2 提高功率因子 | 第20-24页 |
| 1.5 热电材料的研究进展 | 第24-29页 |
| 1.5.1 Bi_2Te_3及其合金 | 第24-25页 |
| 1.5.2 Ca_5Al_2Sb_6及Zintl相化合物 | 第25-26页 |
| 1.5.3 Half-Heusler合金 | 第26-28页 |
| 1.5.4 氧化物 | 第28-29页 |
| 1.5.5 Mg_2X (X=Si, Ge, Sn)化合物及其合金 | 第29页 |
| 1.6 主要研究内容 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-37页 |
| 第2章 计算方法 | 第37-45页 |
| 2.1 引言 | 第37页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第37-40页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn理论 | 第37-38页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第38页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第38-39页 |
| 2.2.4 VASP(Vienna Ab-initio Simulation Package) | 第39-40页 |
| 2.2.5 WIEN2k | 第40页 |
| 2.3 本文的计算方法 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 第3章 Mg_2X (X=Si, Ge, Sn)的电子结构和热电性质 | 第45-61页 |
| 3.1 研究背景 | 第45-46页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第46-57页 |
| 3.2.1 晶格结构 | 第46页 |
| 3.2.2 电子结构 | 第46-50页 |
| 3.2.3 电子输运性质 | 第50-53页 |
| 3.2.4 热导率 | 第53-56页 |
| 3.2.5 优化的ZT值 | 第56-57页 |
| 3.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第4章 利用能带反转促使多能谷简并提高功率因子 | 第61-73页 |
| 4.1 研究背景 | 第61-62页 |
| 4.2 结果和讨论 | 第62-70页 |
| 4.2.1 能带结构 | 第62-69页 |
| 4.2.2 功率因子 | 第69-70页 |
| 4.3 本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第5章 结论与展望 | 第73-75页 |
| 5.1 结论 | 第73-74页 |
| 5.2 展望 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第76-77页 |
