| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·太阳能电池的发展、原理和工艺 | 第12-19页 |
| ·太阳能电池的发展现状与趋势 | 第12-14页 |
| ·太阳能电池的发电原理 | 第14-16页 |
| ·太阳能电池的制造工艺 | 第16-19页 |
| ·太阳能电池减反射钝化薄膜原理 | 第19-22页 |
| ·减反射原理 | 第19-21页 |
| ·钝化原理 | 第21-22页 |
| ·晶体硅太阳能电池减反射钝化薄膜的研究进展及存在问题 | 第22-24页 |
| ·减反射钝化薄膜的种类及发展历史 | 第22-23页 |
| ·减反射钝化薄膜的存在问题 | 第23-24页 |
| ·α-SiC_x:H薄膜的研究进展 | 第24页 |
| ·α-SiC_x:H的性质 | 第24页 |
| ·α-SiC_x:H的研究进展 | 第24页 |
| ·课题研究的意义、目的与内容 | 第24-25页 |
| ·课题研究意义与目的 | 第24-25页 |
| ·课题研究内容 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第2章 实验方法、过程与测试方法 | 第26-37页 |
| ·PECVD沉积设备 | 第26-27页 |
| ·PECVD设备的结构 | 第26-27页 |
| ·PECVD设备的工作原理 | 第27页 |
| ·实验内容 | 第27-33页 |
| ·实验材料准备 | 第27-28页 |
| ·衬底的清洗 | 第28-29页 |
| ·薄膜制备步骤 | 第29-30页 |
| ·沉积条件对薄膜性质影响实验 | 第30-31页 |
| ·减反射性能研究实验 | 第31-33页 |
| ·优化实验 | 第31-33页 |
| ·减反射性能研究实验 | 第33页 |
| ·与氮化硅减反射性能对比实验 | 第33页 |
| ·钝化实验 | 第33页 |
| ·性能测试设备 | 第33-36页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第34页 |
| ·电子能谱仪(EDS) | 第34页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第34页 |
| ·傅立叶转换红外光谱仪(FTIR) | 第34页 |
| ·X光电子能谱仪(XPS) | 第34-35页 |
| ·紫外可见近红外分光光谱仪 | 第35页 |
| ·光学膜厚测试仪 | 第35-36页 |
| ·微波光电子衰减仪(μ-PCD) | 第36页 |
| ·X射线衍射仪(XRD) | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 PECVD沉积条件对α-SiC_x:H薄膜性质影响研究 | 第37-57页 |
| ·衬底温度对α-SiC_x:H薄膜结构和性能的影响 | 第37-43页 |
| ·不同衬底温度下α-SiC_x:H的表面形貌 | 第37-38页 |
| ·不同衬底温度下α-SiC_x:H薄膜的化学结构 | 第38-41页 |
| ·衬底温度对α-SiC_x:H薄膜生长速率的影响 | 第41页 |
| ·不同衬底温度下α-SiC_x:H薄膜的折射率 | 第41-42页 |
| ·不同衬底温度下α-SiC_x:H的光学带隙(Eg) | 第42-43页 |
| ·SiH_4与CH_4流量比对α-SiC_x:H薄膜结构和性能的影响 | 第43-48页 |
| ·不同流量比下α-SiC_x:H薄膜的表面形貌 | 第43-44页 |
| ·不同流量比下α-SiC_x:H薄膜的化学结构 | 第44-46页 |
| ·流量比对α-SiC_x:H薄膜生长速率的影响 | 第46页 |
| ·不同流量比下α-SiC_x:H薄膜的折射率 | 第46-47页 |
| ·不同流量比下α-SiC_x:H薄膜的光学带隙(Eg) | 第47-48页 |
| ·射频功率对α-SiC_x:H薄膜结构和性能的影响 | 第48-52页 |
| ·不同射频功率下α-SiC_x:H薄膜的表面形貌 | 第48-49页 |
| ·不同射频功率下α-SiC_x:H薄膜的化学结构 | 第49-50页 |
| ·射频功率对α-SiC_x:H薄膜生长速率的影响 | 第50页 |
| ·不同射频功率下α-SiC_x:H薄膜的折射率 | 第50-51页 |
| ·不同射频功率下α-SiC_x:H薄膜的光学带隙(Eg) | 第51-52页 |
| ·α-SiC_x:H薄膜沉积机理讨论 | 第52-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第4章 α-SiC_x:H薄膜减反射性能研究 | 第57-62页 |
| ·优化实验结果分析 | 第57-58页 |
| ·减反射性能研究 | 第58-60页 |
| ·与氮化硅减反射膜的对比 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第5章 α-SiC_x:H薄膜对不同衬底的钝化效果研究 | 第62-67页 |
| ·不同衬底温度下制备的α-SiC_x:H薄膜的钝化效果 | 第64页 |
| ·不同气体流量比下制备的α-SiC_x:H薄膜的钝化效果 | 第64-65页 |
| ·不同射频功率下制备的α-SiC_x:H薄膜的钝化效果 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第6章 结论与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及申请的专利情况 | 第77页 |
