| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 GaN 材料的发展背景及发展现状 | 第9-11页 |
| 1.2 氮化镓生长技术的发展概述 | 第11-12页 |
| 1.3 蓝宝石氮化技术的研究背景和发展 | 第12-20页 |
| 1.4 GaN 基材料的 p 型掺杂 | 第20-21页 |
| 1.5 GaN 材料的基本性质 | 第21-23页 |
| 1.5.1 晶体结构 | 第21-22页 |
| 1.5.2 电子能带结构 | 第22页 |
| 1.5.3 GaN 的极性分类 | 第22-23页 |
| 1.6 MOVPE 下的表面重构 | 第23页 |
| 1.7 本论文的选题意义 | 第23-25页 |
| 第二章 MOVPE 反应系统及材料的表征方法 | 第25-33页 |
| 2.1 MOVPE 概述 | 第25-26页 |
| 2.2 有机金属化合物气相沉积生长过程概述 | 第26页 |
| 2.3 MOVPE 生长系统 | 第26-27页 |
| 2.4 材料性质的测试方法 | 第27-33页 |
| 2.4.1 高分辨 X 射线衍射（HRXRD） | 第28-29页 |
| 2.4.2 原子力显微镜（AFM） | 第29-30页 |
| 2.4.3 范德堡法霍尔测试 | 第30-31页 |
| 2.4.4 原位反射率测试 | 第31-33页 |
| 第三章 蓝宝石氮化时间对于 GaN 外延层的影响 | 第33-51页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 实验与测试 | 第34-37页 |
| 3.2.1 材料 MOVPE 生长 | 第34-35页 |
| 3.2.2 原位反射率曲线测试 | 第35-37页 |
| 3.2.3 薄膜样品的测试 | 第37页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第37-49页 |
| 3.3.1 氮化过程 | 第37-38页 |
| 3.3.2 原位反射曲线分析 | 第38-39页 |
| 3.3.3 HRXRD 图谱分析 | 第39-44页 |
| 3.3.4 AFM 分析 | 第44-47页 |
| 3.3.5 霍尔测试结果分析 | 第47-48页 |
| 3.3.6 氮化模型假设 | 第48-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 AlGaN 中 Mg 掺杂对蓝光发光二极管光电性质的影响 | 第51-65页 |
| 4.1 引言 | 第51-52页 |
| 4.2 实验过程 | 第52-53页 |
| 4.2.1 外延生长 | 第52页 |
| 4.2.2 芯片工艺 | 第52页 |
| 4.2.3 样品测试 | 第52-53页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第53-64页 |
| 4.3.1 高分辨 XRD 图谱分析 | 第53-57页 |
| 4.3.2 光致发光光谱分析 | 第57-58页 |
| 4.3.3 芯片亮度分析 | 第58-61页 |
| 4.3.4 芯片正向电压分析 | 第61-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 结论 | 第65-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第75页 |