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Ni(C)基纳米胶囊的制备及光催化性能研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第11-20页
    1.1 引言第11页
    1.2 纳米材料及纳米半导体材料的基本特性第11-13页
        1.2.1 纳米材料的基本特性第12页
        1.2.2 纳米半导体的特性第12-13页
    1.3 光催化反应的应用第13-14页
    1.4 光催化反应机理第14-17页
        1.4.1 单一半导体光催化剂第15页
        1.4.2 复合半导体光催化剂第15-17页
    1.5 光催化降解的影响因素第17-18页
    1.6 论文的研究目的及主要研究内容第18-20页
第2章 磁性纳米胶囊的制备及表征第20-25页
    2.1 纳米材料的制备方法综述第20-21页
        2.1.1 物理法制备纳米材料第20页
        2.1.2 化学法制备纳米材料第20-21页
    2.2 纳米材料的表征方法综述第21-25页
        2.2.1 结构表征方法第21-23页
        2.2.2 性能表征方法第23-25页
第3章 Ni@ZnO及Ni@ZnO@TiO_2光催化剂的制备和性能第25-32页
    3.1 引言第25页
    3.2 Ni@ZnO及Ni@ZnO@TiO_2纳米胶囊的制备第25-27页
        3.2.1 制备Ni-ZnO阳极靶材第25页
        3.2.2 等离子体法制备Ni@ZnO纳米胶囊第25-27页
        3.2.3 Ni@ZnO@TiO_2纳米胶囊的制备第27页
    3.3 结果分析与讨论第27-31页
        3.3.1 Ni@ZnO及Ni@ZnO@Ti O_2纳米胶囊的XRD分析第27-28页
        3.3.2 Ni@ZnO及Ni@ZnO@Ti O_2纳米胶囊的透射电镜分析第28-29页
        3.3.3 Ni@ZnO及Ni@ZnO@Ti O_2纳米胶囊磁性能分析第29页
        3.3.4 Ni@ZnO及Ni@ZnO@Ti O_2纳米胶囊的光催化降解曲线分析第29-30页
        3.3.5 Ni@ZnO及Ni@ZnO@Ti O_2纳米胶囊的PL谱图分析第30-31页
    3.4 本章小结第31-32页
第4章 Ni@C@Bi_2O_3光催化剂的制备与性能研究第32-39页
    4.1 引言第32页
    4.2 Ni@C@Bi_2O_3纳米胶囊的制备第32-33页
        4.2.1 Ni@C纳米胶囊的制备第32-33页
        4.2.2 Ni@C@Bi_2O_3纳米胶囊的制备第33页
        4.2.3 晶化第33页
    4.3 样品的测试与表征第33-38页
        4.3.1 Ni@C@Bi_2O_3纳米胶囊的XRD测试第33-34页
        4.3.2 Ni@C和Ni@C@Bi_2O_3的形貌及核壳结构第34-35页
        4.3.3 Ni@C@Bi_2O_3纳米胶囊的磁性能分析第35-36页
        4.3.4 Ni@C@Bi_2O_3纳米胶囊的光催化性能分析及原理第36-38页
        4.3.5 Ni@C@Bi_2O_3纳米胶囊的PL谱图分析第38页
    4.4 本章小结第38-39页
第5章 CPNB@GO复合光催化剂的制备与性能研究初探第39-48页
    5.1 引言第39页
    5.2 CPNB@GO复合光催化剂的制备第39-41页
        5.2.1 CPNB(配位聚合物纳米带)的制备第39-40页
        5.2.2 GO(氧化石墨烯)的制备(Hummer法)第40页
        5.2.3 CPNB@GO复合物的制备第40-41页
    5.3 结果分析与讨论第41-47页
        5.3.1 CPNB、GO及CPNB@GO的XRD分析第41页
        5.3.2 GO的扫描电镜分析第41-42页
        5.3.3 CPNB@GO复合物扫描电镜照片分析第42-43页
        5.3.4 CPNB及CPNB@GO复合物XPS曲线分析第43-44页
        5.3.5 CPNB及CPNB@GO复合物光学性能分析第44-45页
        5.3.6 CPNB、CPNB@GO和CPNB/GO复合物催化性能分析第45-46页
        5.3.7 CPNB@GO复合物光催化机理探究第46-47页
        5.3.8 展望第47页
    5.4 本章小结第47-48页
第6章 结论第48-50页
参考文献第50-53页
在学研究成果第53-54页
致谢第54页

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