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基于各向异性腐蚀的单晶硅拉曼基底的制作及其特性研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第9-18页
    1.1 表面增强拉曼光谱的研究背景第9-12页
        1.1.1 拉曼光谱第9-10页
        1.1.2 表面增强拉曼光谱第10-11页
        1.1.3 表面增强拉曼的基本原理第11-12页
            1.1.3.1 物理增强第11-12页
            1.1.3.2 化学增强第12页
    1.2 表面增强拉曼光谱的应用第12-14页
        1.2.1 环境和食品检测第12-13页
        1.2.2 医学检测第13-14页
    1.3 常见的表面增强拉曼基底及其制备方法第14-16页
        1.3.1 金属溶胶第14页
        1.3.2 粗糙金属电极第14-15页
        1.3.3 金属岛膜第15页
        1.3.4 纳米复合材料第15-16页
        1.3.5 新材料第16页
    1.4 商业化的SERS基底及存在的问题第16页
    1.5 本文的主要研究内容第16-18页
第二章 单晶硅表面微结构的制备原理及方法第18-26页
    2.1 单晶硅材料第18-20页
        2.1.1 硅材料第18页
        2.1.2 单晶硅晶体结构第18-20页
    2.2 单晶硅的各向异性腐蚀机理第20-21页
    2.3 单晶硅表面微结构的应用第21-22页
        2.3.1 单晶硅表面微结构在太阳电池上的应用第21-22页
        2.3.2 单晶硅表面微结构在SERS基底上的应用第22页
    2.4 实验材料、仪器及分析软件第22-25页
        2.4.1 实验材料及仪器第22-24页
        2.4.2 实验分析软件第24-25页
    2.5 实验方法第25-26页
第三章 单晶硅表面微结构的制备第26-43页
    3.1 实验流程第26-28页
    3.2 实验方案第28页
    3.3 实验结果及讨论第28-41页
        3.3.1 NaOH浓度对单晶硅表面微结构的影响第28-31页
        3.3.2 反应温度对单晶硅表面微结构的影响第31-35页
        3.3.3 反应时间对单晶硅表面微结构的影响第35-38页
        3.3.4 添加剂浓度对单晶硅表面微结构的影响第38-41页
    3.4 本章小结第41-43页
第四章 单晶硅拉曼基底的制备及其特性研究第43-52页
    4.1 引言第43页
    4.2 实验仪器与试剂第43-44页
        4.2.1 实验仪器第43-44页
        4.2.2 实验试剂第44页
    4.3 拉曼基底的制备第44-47页
        4.3.1 表面增强拉曼基底的制备方法第44-45页
        4.3.2 表面增强拉曼基底最佳镀膜厚度的探究第45-47页
    4.4 拉曼基底表面增强拉曼散射特性研究第47-50页
    4.5 本章小结第50-52页
第五章 总结与展望第52-55页
    5.1 总结第52-53页
    5.2 本文创新点第53页
    5.3 展望第53-55页
参考文献第55-61页
攻读学位期间发表的学术论文和研究成果第61-62页
致谢第62页

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