摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-26页 |
1.1 纳米材料概述 | 第11-15页 |
1.1.1 纳米材料的定义及性质 | 第11页 |
1.1.2 纳米材料的制备方法 | 第11-13页 |
1.1.2.1 固相法 | 第11-12页 |
1.1.2.2 气相法 | 第12页 |
1.1.2.3 液相法 | 第12-13页 |
1.1.3 纳米材料的表征方法 | 第13-14页 |
1.1.4 纳米材料的应用 | 第14-15页 |
1.2 气体传感器 | 第15-19页 |
1.2.1 气体传感器的分类 | 第15-16页 |
1.2.2 金属氧化物半导体(MOS)气体传感器 | 第16页 |
1.2.3 MOS气体传感器的结构 | 第16-17页 |
1.2.4 MOS气体传感器的性能指标 | 第17-18页 |
1.2.5 MOS气体传感器的气敏机理 | 第18-19页 |
1.3 提高MOS气敏性能的方法 | 第19-23页 |
1.3.1 贵金属掺杂 | 第19-20页 |
1.3.2 稀土金属掺杂 | 第20-21页 |
1.3.3 二元或多元金属氧化物的复合 | 第21页 |
1.3.4 石墨烯-MOS复合材料 | 第21-22页 |
1.3.5 合成不同形貌的纳米结构 | 第22-23页 |
1.4 半导体金属氧化物NiGa_2O_4 | 第23-24页 |
1.4.1 尖晶石的晶体结构 | 第23页 |
1.4.2 NiGa_2O_4的制备方法及应用 | 第23-24页 |
1.5 本课题的研究内容及研究意义 | 第24-26页 |
1.5.1 本课题的研究内容 | 第24页 |
1.5.2 本课题的研究意义 | 第24-26页 |
第二章 共沉淀法制备NiGa_2O_4复合金属氧化物及其气敏性能研究 | 第26-39页 |
2.1 前言 | 第26页 |
2.2 实验 | 第26-28页 |
2.2.1 实验试剂 | 第26-27页 |
2.2.2 材料的表征方法 | 第27页 |
2.2.3 材料的制备 | 第27-28页 |
2.2.4 气敏原件的制作 | 第28页 |
2.3 结果与讨论 | 第28-38页 |
2.3.1 材料的表征 | 第28-34页 |
2.3.2 材料的气敏性能 | 第34-38页 |
2.4 结论 | 第38-39页 |
第三章 室温下石墨烯-NiGa_2O_4复合材料对三甲胺的气敏性能研究 | 第39-54页 |
3.1 前言 | 第39-40页 |
3.2 实验 | 第40-41页 |
3.2.1 实验试剂 | 第40页 |
3.2.2 材料的表征方法 | 第40页 |
3.2.3 材料的制备 | 第40-41页 |
3.2.4 气敏原件的制作 | 第41页 |
3.3 结果与讨论 | 第41-53页 |
3.3.1 材料的结构及微形貌表征 | 第41-49页 |
3.3.2 材料的气敏性能 | 第49-53页 |
3.4 结论 | 第53-54页 |
第四章 静电纺丝法制备NiGa_2O_4复合金属氧化物及其气敏性能研究 | 第54-65页 |
4.1 前言 | 第54-55页 |
4.2 实验 | 第55-56页 |
4.2.1 实验试剂 | 第55页 |
4.2.2 材料的表征 | 第55页 |
4.2.3 材料的制备 | 第55-56页 |
4.2.4 气敏元件的制作 | 第56页 |
4.3 结果与讨论 | 第56-64页 |
4.3.1 材料的表征 | 第56-62页 |
4.3.2 气敏性能研究 | 第62-64页 |
4.4 结论 | 第64-65页 |
第五章 溶胶凝胶法制备NiGa_2O_4纳米材料及其气敏性能研究 | 第65-75页 |
5.1 前言 | 第65页 |
5.2 实验 | 第65-67页 |
5.2.1 实验试剂 | 第65-66页 |
5.2.2 材料的表征 | 第66页 |
5.2.3 材料的制备 | 第66页 |
5.2.4 气敏元件的制作 | 第66-67页 |
5.3 结果与讨论 | 第67-74页 |
5.3.1 材料的表征 | 第67-71页 |
5.3.2 气敏性能研究 | 第71-74页 |
5.4 结论 | 第74-75页 |
全文总结 | 第75-76页 |
参考文献 | 第76-90页 |
在校研究成果 | 第90-91页 |
致谢 | 第91页 |