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NiGa2O4纳米材料的制备及其气敏性能的研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第11-26页
    1.1 纳米材料概述第11-15页
        1.1.1 纳米材料的定义及性质第11页
        1.1.2 纳米材料的制备方法第11-13页
            1.1.2.1 固相法第11-12页
            1.1.2.2 气相法第12页
            1.1.2.3 液相法第12-13页
        1.1.3 纳米材料的表征方法第13-14页
        1.1.4 纳米材料的应用第14-15页
    1.2 气体传感器第15-19页
        1.2.1 气体传感器的分类第15-16页
        1.2.2 金属氧化物半导体(MOS)气体传感器第16页
        1.2.3 MOS气体传感器的结构第16-17页
        1.2.4 MOS气体传感器的性能指标第17-18页
        1.2.5 MOS气体传感器的气敏机理第18-19页
    1.3 提高MOS气敏性能的方法第19-23页
        1.3.1 贵金属掺杂第19-20页
        1.3.2 稀土金属掺杂第20-21页
        1.3.3 二元或多元金属氧化物的复合第21页
        1.3.4 石墨烯-MOS复合材料第21-22页
        1.3.5 合成不同形貌的纳米结构第22-23页
    1.4 半导体金属氧化物NiGa_2O_4第23-24页
        1.4.1 尖晶石的晶体结构第23页
        1.4.2 NiGa_2O_4的制备方法及应用第23-24页
    1.5 本课题的研究内容及研究意义第24-26页
        1.5.1 本课题的研究内容第24页
        1.5.2 本课题的研究意义第24-26页
第二章 共沉淀法制备NiGa_2O_4复合金属氧化物及其气敏性能研究第26-39页
    2.1 前言第26页
    2.2 实验第26-28页
        2.2.1 实验试剂第26-27页
        2.2.2 材料的表征方法第27页
        2.2.3 材料的制备第27-28页
        2.2.4 气敏原件的制作第28页
    2.3 结果与讨论第28-38页
        2.3.1 材料的表征第28-34页
        2.3.2 材料的气敏性能第34-38页
    2.4 结论第38-39页
第三章 室温下石墨烯-NiGa_2O_4复合材料对三甲胺的气敏性能研究第39-54页
    3.1 前言第39-40页
    3.2 实验第40-41页
        3.2.1 实验试剂第40页
        3.2.2 材料的表征方法第40页
        3.2.3 材料的制备第40-41页
        3.2.4 气敏原件的制作第41页
    3.3 结果与讨论第41-53页
        3.3.1 材料的结构及微形貌表征第41-49页
        3.3.2 材料的气敏性能第49-53页
    3.4 结论第53-54页
第四章 静电纺丝法制备NiGa_2O_4复合金属氧化物及其气敏性能研究第54-65页
    4.1 前言第54-55页
    4.2 实验第55-56页
        4.2.1 实验试剂第55页
        4.2.2 材料的表征第55页
        4.2.3 材料的制备第55-56页
        4.2.4 气敏元件的制作第56页
    4.3 结果与讨论第56-64页
        4.3.1 材料的表征第56-62页
        4.3.2 气敏性能研究第62-64页
    4.4 结论第64-65页
第五章 溶胶凝胶法制备NiGa_2O_4纳米材料及其气敏性能研究第65-75页
    5.1 前言第65页
    5.2 实验第65-67页
        5.2.1 实验试剂第65-66页
        5.2.2 材料的表征第66页
        5.2.3 材料的制备第66页
        5.2.4 气敏元件的制作第66-67页
    5.3 结果与讨论第67-74页
        5.3.1 材料的表征第67-71页
        5.3.2 气敏性能研究第71-74页
    5.4 结论第74-75页
全文总结第75-76页
参考文献第76-90页
在校研究成果第90-91页
致谢第91页

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