单晶硅纳米线阵列的可控性制备及图形化研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 研究背景与选题意义 | 第9-10页 |
| 1.2 硅纳米线阵列的制备方法 | 第10-16页 |
| 1.2.1 化学气相沉积法（CVD） | 第10-12页 |
| 1.2.2 热蒸发法 | 第12-13页 |
| 1.2.3 物理刻蚀法（RIE） | 第13-14页 |
| 1.2.4 金属辅助化学刻蚀法 | 第14-16页 |
| 1.3 硅纳米线阵列的物理特性及应用研究 | 第16-20页 |
| 1.3.1 硅纳米线阵列的光学特性 | 第17页 |
| 1.3.2 硅纳米线阵列的电子传输特性 | 第17-18页 |
| 1.3.3 硅纳米线在光电器件方面的应用 | 第18-19页 |
| 1.3.4 硅纳米线在锂电池方面的应用 | 第19-20页 |
| 1.4 本论文的研究目的和主要内容 | 第20-22页 |
| 2 实验方法及分析表征 | 第22-30页 |
| 2.1 实验设备及试剂 | 第22-23页 |
| 2.1.1 实验设备 | 第22-23页 |
| 2.2 实验方法 | 第23-27页 |
| 2.2.1 硅片的清洗 | 第23页 |
| 2.2.2 掩膜版的制备 | 第23-25页 |
| 2.2.3 金属（Au）网孔的制备 | 第25-26页 |
| 2.2.4 硅纳米线阵列的制备 | 第26-27页 |
| 2.3 硅纳米线的表征 | 第27-29页 |
| 2.3.1 冷场发射扫描电子显微镜 | 第27页 |
| 2.3.2 透射电子显微镜 | 第27-28页 |
| 2.3.3 荧光光谱仪 | 第28页 |
| 2.3.4 紫外-可见吸收光谱 | 第28页 |
| 2.3.5 X射线衍射分析 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 一维硅纳米线阵列纳米球掩膜法的可控性制备 | 第30-54页 |
| 3.1 纳米球掩模板的制备 | 第30-34页 |
| 3.2 纳米球模板和Au网孔的可控性研究 | 第34-42页 |
| 3.3 硅纳米线阵列的尺寸控制 | 第42-47页 |
| 3.3.1 硅纳米线阵列的直径控制 | 第42-43页 |
| 3.3.2 硅纳米线阵列的间距控制 | 第43-45页 |
| 3.3.3 硅纳米线阵列的长度控制 | 第45-47页 |
| 3.4 硅纳米线阵列形貌的控制 | 第47-52页 |
| 3.4.1 不同HF浓度的影响 | 第47-48页 |
| 3.4.2 不同H2O2浓度的影响 | 第48-50页 |
| 3.4.3 不同腐蚀温度的影响 | 第50-51页 |
| 3.4.4 干燥方法对硅纳米线团聚的影响 | 第51-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 4 一维硅纳米线阵列的光刻法图形化制备 | 第54-62页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 硅纳米线的图形化制备 | 第54-57页 |
| 4.2.1 图形化的掩膜板 | 第54-55页 |
| 4.2.2 图形化的硅纳米线刻蚀 | 第55-57页 |
| 4.3 图形化的硅纳米线形貌的控制 | 第57-61页 |
| 4.3.1 不同刻蚀时间对图形化的影响 | 第57-58页 |
| 4.3.2 不同刻蚀时间对硅纳米线形态的影响 | 第58-60页 |
| 4.3.3 不同腐蚀溶剂对硅纳米线图形化的影响 | 第60-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 5 硅纳米线的结构及性能研究 | 第62-69页 |
| 5.1 引言 | 第62页 |
| 5.2 透射电镜分析 | 第62-63页 |
| 5.3 荧光光谱分析 | 第63-64页 |
| 5.4 紫外-可见吸收光谱 | 第64-67页 |
| 5.5 X射线衍射分析 | 第67-69页 |
| 结论 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及研究成果 | 第75页 |
