| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 等离子体概述 | 第9-12页 |
| 1.1.1 低温等离子体 | 第10-11页 |
| 1.1.2 关于低温等离子体的放电特性 | 第11-12页 |
| 1.2 低温等离子沉积技术 | 第12-13页 |
| 1.2.1 等离子体增强化学气相沉积 | 第12-13页 |
| 1.2.2 CCP等离子体在PECVD中应用 | 第13页 |
| 1.3 硅基薄膜研究及性质 | 第13-15页 |
| 1.3.1 硅基薄膜的性质和应用 | 第14页 |
| 1.3.2 硅基薄膜的制备方法 | 第14-15页 |
| 1.4 脉冲调制CCP放电机制研究 | 第15-17页 |
| 1.4.1 脉冲源简介 | 第15-16页 |
| 1.4.2 脉冲调制放电研究 | 第16-17页 |
| 1.5 本文内容安排 | 第17-18页 |
| 2 CCP流体动力学模型 | 第18-25页 |
| 2.1 模型介绍 | 第18-19页 |
| 2.1.1 引言 | 第18页 |
| 2.1.2 模型装置 | 第18-19页 |
| 2.2 流体力学模型 | 第19-23页 |
| 2.2.1 离子方程 | 第19-20页 |
| 2.2.2 电子方程 | 第20页 |
| 2.2.3 中性粒子方程 | 第20-21页 |
| 2.2.4 电场泊松方程 | 第21-22页 |
| 2.2.5 边界条件 | 第22-23页 |
| 2.2.6 反应系数 | 第23页 |
| 2.3 薄膜沉积速率 | 第23-25页 |
| 3 一维脉冲调制射频SiH_4/N_2/N_2O的流体力学模拟 | 第25-48页 |
| 3.1 SiH_4/N_2/N_2O混合气体与SiH_4/N_2/O_2混合气体的放电模拟对比 | 第25-29页 |
| 3.1.1 两组混合气体中参数对比 | 第25-29页 |
| 3.1.2 本节小结 | 第29页 |
| 3.2 不同占空比的选取对等离子体参数的影响 | 第29-32页 |
| 3.2.1 本节小结 | 第32页 |
| 3.3 不同脉冲调制频率的选取对等离子体的影响 | 第32-38页 |
| 3.3.1 电子密度与电子温度 | 第32-34页 |
| 3.3.2 正离子密度变化 | 第34-35页 |
| 3.3.3 负离子密度变化 | 第35页 |
| 3.3.4 平均电场与平均电势 | 第35-36页 |
| 3.3.5 中性基团密度和沉积速率 | 第36-37页 |
| 3.3.6 本节小结 | 第37-38页 |
| 3.4 不同放电气体压强参数的选取对等离子体的影响 | 第38-42页 |
| 3.4.1 电子密度以及电子温度 | 第38-39页 |
| 3.4.2 离子密度与能量 | 第39-41页 |
| 3.4.3 中性粒子密度和沉积速率 | 第41-42页 |
| 3.4.4 本节小结 | 第42页 |
| 3.5 不同放电电压参数的选取对等离子体的影响 | 第42-48页 |
| 3.5.1 电子密度以及电子温度 | 第42-44页 |
| 3.5.2 正离子的密度和能量 | 第44-45页 |
| 3.5.3 中性粒子密度和沉积速率 | 第45-47页 |
| 3.5.4 本节小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 附录 硅烷、氮气和笑气放电反应方程式及其系数 | 第54-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
