摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
目录 | 第8-11页 |
第一章 绪论 | 第11-24页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 电子封装 | 第11-16页 |
1.2.1 电子封装的定义 | 第11-13页 |
1.2.2 电子封装技术现状 | 第13-15页 |
1.2.3 电子封装的发展趋势 | 第15-16页 |
1.3 电子封装材料 | 第16-20页 |
1.3.1 电子封装材料的特点 | 第16-17页 |
1.3.2 传统电子封装材料 | 第17-18页 |
1.3.3 新型电子封装材料 | 第18-20页 |
1.4 高体积分数SiC颗粒增强铝基电子封装材料 | 第20-22页 |
1.4.1 高体积分数SiC颗粒增强铝基复合材料的性能优势与用途 | 第20-21页 |
1.4.2 高体积分数SiC颗粒增强铝基复合材料的研究现状 | 第21-22页 |
1.5 本文研究内容 | 第22-24页 |
第二章 高体积分数SiC颗粒增强铝基电子封装复合材料的成分组织与性能要求 | 第24-37页 |
2.1 高体积分数SiC颗粒增强铝基复合材料的典型合金成分 | 第24-29页 |
2.1.1 基体金属Al及Al合金成分性能特点 | 第24-25页 |
2.1.2 SiC增强颗粒配比及性能特点 | 第25-29页 |
2.2 高体积分数SiC颗粒增强铝基复合材料的使用性能指标 | 第29-34页 |
2.2.1 热膨胀性能 | 第29-31页 |
2.2.2 热导性能 | 第31-33页 |
2.2.3 力学性能 | 第33-34页 |
2.3 高体积分数SiC颗粒增强铝基复合材料的微观组织结构 | 第34-36页 |
2.3.1 高体积分数SiC颗粒增强铝基复合材料的界面与成分分析 | 第34-35页 |
2.3.2 高体积分数SiC颗粒增强铝基复合材料的结构组织 | 第35-36页 |
2.4 本章小结 | 第36-37页 |
第三章 高体积分数SiC颗粒增强铝基电子封装复合材料的制备工艺研究 | 第37-52页 |
3.1 引言 | 第37页 |
3.2 固相工艺 | 第37-40页 |
3.2.1 粉末冶金工艺 | 第37-39页 |
3.2.2 热等静压工艺 | 第39-40页 |
3.3 液相工艺 | 第40-49页 |
3.3.1 预制件的制备工艺 | 第40-41页 |
3.3.2 挤压铸造工艺 | 第41-43页 |
3.3.3 真空压力浸渗工艺 | 第43-44页 |
3.3.4 无压浸渗工艺 | 第44-46页 |
3.3.5 液态金属搅拌铸造工艺 | 第46-48页 |
3.3.6 离心铸造浸渗工艺 | 第48-49页 |
3.4 共喷沉积工艺 | 第49-50页 |
3.5 本章小结 | 第50-52页 |
第四章 高体积分数SiC颗粒增强铝基电子封装复合材料样品的微观组织与断裂分析 | 第52-57页 |
4.1 引言 | 第52页 |
4.2 高体积分数SiC颗粒增强铝基复合材料样品成分及微观组织 | 第52-54页 |
4.2.1 高体积分数SiC颗粒增强铝基复合材料样品的X射线衍射分析 | 第52-53页 |
4.2.2 高体积分数SiC颗粒增强铝基复合材料样品的金相分析 | 第53-54页 |
4.3 高体积分数SiC颗粒增强铝基复合材料样品的Al/SiC界面及断裂方式 | 第54-55页 |
4.3.1 高体积分数SiC颗粒增强铝基复合材料样品的Al/SiC界面 | 第54页 |
4.3.2 高体积分数SiC颗粒增强铝基复合材料样品的断裂方式 | 第54-55页 |
4.4 高体积分数SiC颗粒增强铝基复合材料样品的制备工艺 | 第55-56页 |
4.5 本章小结 | 第56-57页 |
第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
5.1 本文研究工作总结与讨论 | 第57页 |
5.2 后续工作展望 | 第57-59页 |
参考文献 | 第59-63页 |
致谢 | 第63页 |