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银电极氧化对双极性电阻转变影响及WO3局域电阻转变研究

中文摘要第1-6页
英文摘要第6-10页
1 绪论第10-34页
   ·引言第10页
   ·存储器简介第10-13页
   ·电阻式随机存储器的研究进展第13-24页
     ·RRAM 研究的兴起第13-21页
     ·RRAM 材料的研究第21-24页
   ·RRAM电阻转变机制研究第24-30页
   ·RRAM器件的重要参数与实用化要求第30-33页
   ·本文研究内容与意义第33-34页
2 银电极氧化对双极性电阻转变的影响以及器件性能研究第34-47页
   ·引言第34-36页
   ·实验方法第36-37页
     ·样品制备第36页
     ·样品表征与制备方法第36-37页
   ·结果与讨论第37-46页
     ·Ag 电极氧化现象第37-39页
     ·Ag/AgO_x/WO_(3-x)/Pt器件的电致电阻效应第39-42页
     ·Ag/AgO_x/WO_(3-x)/Pt器件电致电阻机制分析第42-46页
   ·小结第46-47页
3 不同氧压下制备AgO_x薄膜层对Ag/AgO_x/WO_(3-x)/Pt器件电阻转变的影响第47-51页
   ·引言第47页
   ·样品制备第47页
   ·结果与讨论第47-50页
   ·小结第50-51页
4 WO_(3-x)薄膜局域电阻转变研究第51-68页
   ·引言第51-53页
   ·实验方法第53-58页
     ·样品制备第53-57页
     ·测试方法第57-58页
   ·结果与讨论第58-67页
     ·不同写入程度研究第58-60页
     ·导电通路可重复性研究第60-62页
     ·电阻转变不均匀性研究第62-65页
     ·电阻转变区域研究第65-67页
   ·小结第67-68页
5 结论与展望第68-71页
   ·论文总结第68-69页
   ·论文创新点第69页
   ·展望与建议第69-71页
参考文献第71-87页
致谢第87-88页
攻读学位期间取得的科研成果清单第88页

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