| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-34页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·存储器简介 | 第10-13页 |
| ·电阻式随机存储器的研究进展 | 第13-24页 |
| ·RRAM 研究的兴起 | 第13-21页 |
| ·RRAM 材料的研究 | 第21-24页 |
| ·RRAM电阻转变机制研究 | 第24-30页 |
| ·RRAM器件的重要参数与实用化要求 | 第30-33页 |
| ·本文研究内容与意义 | 第33-34页 |
| 2 银电极氧化对双极性电阻转变的影响以及器件性能研究 | 第34-47页 |
| ·引言 | 第34-36页 |
| ·实验方法 | 第36-37页 |
| ·样品制备 | 第36页 |
| ·样品表征与制备方法 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-46页 |
| ·Ag 电极氧化现象 | 第37-39页 |
| ·Ag/AgO_x/WO_(3-x)/Pt器件的电致电阻效应 | 第39-42页 |
| ·Ag/AgO_x/WO_(3-x)/Pt器件电致电阻机制分析 | 第42-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 3 不同氧压下制备AgO_x薄膜层对Ag/AgO_x/WO_(3-x)/Pt器件电阻转变的影响 | 第47-51页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·样品制备 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 4 WO_(3-x)薄膜局域电阻转变研究 | 第51-68页 |
| ·引言 | 第51-53页 |
| ·实验方法 | 第53-58页 |
| ·样品制备 | 第53-57页 |
| ·测试方法 | 第57-58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-67页 |
| ·不同写入程度研究 | 第58-60页 |
| ·导电通路可重复性研究 | 第60-62页 |
| ·电阻转变不均匀性研究 | 第62-65页 |
| ·电阻转变区域研究 | 第65-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 5 结论与展望 | 第68-71页 |
| ·论文总结 | 第68-69页 |
| ·论文创新点 | 第69页 |
| ·展望与建议 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果清单 | 第88页 |
