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J-TEXT共振扰动场对逃逸电子输运特性影响的数值模拟

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-17页
    1.1 课题的研究意义第9-10页
    1.2 国内外的研究概况第10-11页
    1.3 J-TEXT进行共振磁扰动对逃逸电子影响的基础第11-16页
    1.4 本文主要内容第16-17页
2 逃逸电子理论基础第17-27页
    2.1 逃逸电子的形成第17-19页
    2.2 初级产生机制第19-21页
    2.3 次级产生机制第21-23页
    2.4 逃逸电子的运动轨道第23-25页
    2.5 本章小结第25-27页
3 共振扰动场对磁拓扑结构的影响第27-39页
    3.1 扰动场线圈第27-30页
    3.2 磁力线公式推导第30-32页
    3.3 扰动场对磁力线轨迹的影响第32-38页
    3.4 本章小结第38-39页
4 共振扰动场对逃逸电子的影响第39-53页
    4.1 小尺度湍流模型第39-40页
    4.2 逃逸电子公式推导第40-45页
    4.3 磁面的漂移第45-48页
    4.4 共振扰动场时逃逸电子运动轨迹的影响第48-52页
    4.5 本章小结第52-53页
5 逃逸电子的损失率与实验结果的对比第53-61页
    5.1 逃逸电子的径向输运第53页
    5.2 逃逸电子的损失率第53-57页
    5.3 J-TEXT的逃逸电子诊断系统第57-58页
    5.4 共振扰动场对逃逸电子影响的实验第58-60页
    5.5 本章小结第60-61页
6 总结和展望第61-63页
致谢第63-64页
参考文献第64-69页
附录 攻读硕士学位期间发表论文第69页

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