二维材料石墨烯和二硫化钼在场效应晶体管中的应用研究
| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-27页 |
| 1.1 二维材料的兴起 | 第8-9页 |
| 1.2 场效应晶体管的简介 | 第9-12页 |
| 1.2.1 场效应晶体管的基本原理 | 第9-10页 |
| 1.2.2 场效应晶体管的基本参数 | 第10-12页 |
| 1.3 石墨烯纳米带（GNR）场效应晶体管的构建 | 第12-20页 |
| 1.3.1 化学合成法 | 第13-17页 |
| 1.3.2 氧化腐蚀碳纳米管 | 第17-18页 |
| 1.3.3 声波法 | 第18页 |
| 1.3.4 刻蚀石墨烯 | 第18-19页 |
| 1.3.5 刻蚀拉开碳纳米管法 | 第19-20页 |
| 1.4 二硫化钼场效应晶体管 | 第20-25页 |
| 1.4.1 二硫化钼的简介 | 第21-22页 |
| 1.4.2 二硫化钼场的制备 | 第22-23页 |
| 1.4.3 二硫化钼场效应晶体管的电学性能 | 第23-25页 |
| 1.5 本论文选题依据与研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 掩膜法构建石墨烯纳米带场效应晶体管 | 第27-39页 |
| 2.1 气相输运法生长SnO2纳米带 | 第27-29页 |
| 2.2 机械剥离法制备石墨烯 | 第29-31页 |
| 2.3 纳米带掩膜法构建GNR-FET | 第31-39页 |
| 2.3.1 掩膜法构建GNR-FET | 第31-35页 |
| 2.3.2 GNR-FET的电学性能 | 第35-39页 |
| 第三章 二硫化钼场效应晶体管的构建 | 第39-47页 |
| 3.1 改进机械剥离法制备二维层状二硫化钼 | 第39-43页 |
| 3.1.1 改进机械剥离法 | 第39-40页 |
| 3.1.2 对二硫化钼层数的表征 | 第40-41页 |
| 3.1.3 改进前后剥离法的对比 | 第41-43页 |
| 3.2 二硫化钼场效应晶体管的构建及相关电学性能 | 第43-45页 |
| 3.3 二硫化钼相关性能的展望 | 第45-47页 |
| 第四章 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 在学期间公开发表论文、申请专利及参加会议情况 | 第54页 |
